Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
271 results
Search Results
Item Пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія Магнітних Сенсорів, Центр “Кристал”Проаналізовано задачу картографування магнітного поля в циклотронних магнітах. Особливістю цієї задачі є високопрецизійне вимірювання неоднорідного магнітного поля багатоканальними магнітометрами на основі матриць радіаційностійких холлівських сенсорів (похибка – не більше 0.01%). Розкриті нові рішення щодо побудови таких вимірювальних пристроїв, а також структура та результати апробації розробленого картографа Mapper-MSL.Item Fibre-optic humidity sensor with active element based on CoCl2(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Proszak, Władysław; Trybus, Mariusz; Woś, Bogdan; Hotra, Olexandra; Gelzynskyy, Ihor; Rzeszow University of Technology; Lviv Medical National University; Lviv Polytechnic National UniversityЗапропоновано конструкцію оптоволоконного сенсора вологості з активним елементом на основі CoCl2. Визначено статичні і динамічні характеристики сенсора.Item Коефіцієнт ефекту Зеєбека та хімічний потенціал в PBSE в умовах екранування домішків(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Буджак, Я. С.; Національний університет “Львівська політехніка”Вияснено вплив ефекту екранування домішкових центрів з малими енергіями активації на значення приведеного хімічного потенціалу μ2 та значення коефіцієнта ефекту Зеєбека α. Показано, що за наявності ефекту екранування в кристалах за певних умов можна спостерігати немонотонну залежність α від температури. Це пов'язано з відомою в літературі залежністю енергії іонізації домішків від концентрації носіїв зарядів. У роботі дані аналітичні висновки і числові оцінки впливу цієї залежності на коефіцієнти α та μ2.Item Моделювання просторових характеристик керованих оптичних потоків некогерентних випромінювачів для фотомедичних технологій(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Кожухар, О. Т.; Національний університет “Львівська політехніка”Внаслідок проведеного моделювання некогерентних випромінювачів розглянуті можливості керування просторовими характеристиками випромінювання для нових інформаційно-енергетичних фотомедичних технологій.Item Capacitive couplings of parallel conducting path systems in hybrid microcircuit(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Wisz, Bogusław; Rzeszów University of TechnologyНаведено застосування методу інтегралів Фур'є для визначення паразитних ємностей у паралельних провідних системах. В розглянутому випадку два паралельних провідники однакової ширини розміщені з одного боку діелектричної підкладки визначеної довжини. Запропонований метод базується на розв’язанні тривимірної крайової задачі. Зображений електричний потенціал у формі інтегралів Фур’є виконує умову Лапласа. Як результат отримано систему рівнянь, яка описує розподіл електричних зарядів. Застосовано числовий метод розв’язання системи, який дозволив розрахувати ємність між провідниками.Item Electrical, mechanical and thermal properties of thick film resistors on dielectrics(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Jakubowska, Małgorzata; Pitt, Keith; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw; Middlesex University, LondonОписано останні дослідження в області сумісності товстоплівкових та резистивних комбінацій. Розглянуті причини реакції між матеріалами та подальші зміни в електричних параметрах. Новорозроблені серії резисторів на основі оксиду рутенію демонструють значно кращу електричну і механічну сумісність, ніж старі комбінації. Термографічне картографування і комп’ютерне моделювання розподілу теплових полів навколо нагрітого резистора демонструють значне зростання на нижньому провідному шарі.Item Зміст до Вісника “Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки”(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01)Item Кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Стахіра, П. Й.; Черпак, В. В.; Фоменко, В. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет імені Івана ФранкаВивчено механізми виникнення фотоелектретного ефекту в інтеркальованим нікелем GaSe. Визначено, що для цього об’єкта дослідження наявність фотоелектретного ефекту можна пояснити, припускаючи, що інтеркальованим нікелем GaSe збудженні світлом нерівноважні електрони і дірки знаходитимуться в асиметричній потенціальній ямі.Item Моделювання механізму генерації центрів забарвлення в легованих кристалах флюоритів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Качан, С. І.; Чорній, З. П.; Пірко, І. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”; Національний лісотехнічний університет УкраїниРозглянуто основні принципи побудови одномірної моделі механізму генерації центрів забарвлення в легованих кристалах із структурою флюориту. У запропонованій моделі реальний кристал розглядається як ланцюг, побудований із іонів основи і обмежений по довжині домішково - вакансійними диполями (ДВД). Центри забарвлення виникають внаслідок розпаду в іонному ланцюгу електронно-діркових пар.Item Аналіз ефективності програм трасування провідників у сучасних САПР(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Бень, О. Б.; Григор’єв, В. В.; Панчак, Р. Т.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуті результати дослідження ефективності автоматичного трасування провідників в системах P-CAD та OrCAD.