Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів

Simple item page
dc.contributor.authorЛогуш, О. І.
dc.contributor.authorБілинський, Ю. М.
dc.date.accessioned2013-06-21T09:03:06Z
dc.date.available2013-06-21T09:03:06Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationЛогуш О. І. Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів / О. І. Логуш, Ю. М. Білинський// Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доповідей, 5–7 квітня 2011 р., Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – С. 41.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/19941
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.titleНапруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектівuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
38-41-41.pdf
Size:
156.65 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2011 р.