Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії

Simple item page
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.contributor.authorНічкало, С. І.
dc.date.accessioned2010-02-19T19:57:18Z
dc.date.available2010-02-19T19:57:18Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractВивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.uk
dc.identifier.citationВирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 11–16. – Бібліографія: 14 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2528
dc.language.isouauk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk
dc.subjectнанодротин кремніюuk
dc.subjectгазофазова епітаксіяuk
dc.subjectSi nanowiresuk
dc.subjectgrowth peculiaritiesuk
dc.titleВирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксіїuk
dc.title.alternativeThe growth of Si nanodimensional crystals by chemical vapour deposition
dc.typeArticleuk

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
02.pdf
Size:
402.78 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2009. – №646