Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів
No Thumbnail Available
Date
2003
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.
Description
Keywords
Citation
Пелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв.