Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів

Simple item page
dc.contributor.authorПелещак, Р.М.
dc.contributor.authorРудницький, С.В.
dc.date.accessioned2015-12-23T13:23:30Z
dc.date.available2015-12-23T13:23:30Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractРозраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.uk_UA
dc.identifier.citationПелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30919
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.titleЗміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрівuk_UA
dc.title.alternativeChange of electronic states filling along superlattice axes GaAs-Si (δ) caused by mismatch of a lattice parametersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
21-141-147.pdf
Size:
932.89 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2003. – №482