Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів
| dc.contributor.author | Пелещак, Р.М. | |
| dc.contributor.author | Рудницький, С.В. | |
| dc.date.accessioned | 2015-12-23T13:23:30Z | |
| dc.date.available | 2015-12-23T13:23:30Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.description.abstract | Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Пелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30919 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.title | Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів | uk_UA |
| dc.title.alternative | Change of electronic states filling along superlattice axes GaAs-Si (δ) caused by mismatch of a lattice parameters | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1