Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2
| dc.contributor.author | Товстюк, К. К. | |
| dc.contributor.author | Логуш, О. І. | |
| dc.contributor.author | Доннікова, Д. В. | |
| dc.date.accessioned | 2017-03-15T13:56:46Z | |
| dc.date.available | 2017-03-15T13:56:46Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.description.abstract | Розрахована концентрація дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окислення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв’язували за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень. The concentration of doped Zn introduced in gas while Si oxidation has been calculated. In our diffusion equation we did not considerate the oxidants formation. The diffusion equation were solved by using the approximation of Bolzmann. Comparing our results with experimental data denotes the validity of our approximations. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Товстюк К. К. Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2 / К. К. Товстюк, О. І. Логуш, Д. В. Доннікова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 98–102. – Бібліографія: 5 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36656 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2 | uk_UA |
| dc.title.alternative | Concentration interface of Zn in Si-SiO2 structure | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1