Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2

Simple item page
dc.contributor.authorТовстюк, К. К.
dc.contributor.authorЛогуш, О. І.
dc.contributor.authorДоннікова, Д. В.
dc.date.accessioned2017-03-15T13:56:46Z
dc.date.available2017-03-15T13:56:46Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractРозрахована концентрація дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окислення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв’язували за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень. The concentration of doped Zn introduced in gas while Si oxidation has been calculated. In our diffusion equation we did not considerate the oxidants formation. The diffusion equation were solved by using the approximation of Bolzmann. Comparing our results with experimental data denotes the validity of our approximations.uk_UA
dc.identifier.citationТовстюк К. К. Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2 / К. К. Товстюк, О. І. Логуш, Д. В. Доннікова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 98–102. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36656
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleКонцентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2uk_UA
dc.title.alternativeConcentration interface of Zn in Si-SiO2 structureuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
19_98-102.pdf
Size:
177.73 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2006. – №558