Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals
Loading...
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
The phase diagram of the Ga2Se3–In2Se3 system
as investigated by differential-thermal analysis (DTA) and X-ray diffraction (XRD) method. The single crystals from the area of existence of the γ2 phase with the compositions (Ga0.6In0.4)2Se3 and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 were grown by a
vertical Bridgman method. Absorption spectra of the grown crystals were studied. The estimated optical band gap is 1.95±0.01 eV. The resistance of the single crystals of (Ga0.6In0.4)2Se3 (R = 500 M ) and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 (R = 210 M ) was measured.
Description
Keywords
phase diagram, single crystal, band gap, absorption spectra, semiconductor, resistance
Citation
Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals / І. А. Ivashchenko, V. V. Halyan, І. V. Danylyuk, V. Z. Pankevuch, G. Ye. Davydyuk, І. D. Olekseyuk // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 33–34. – Bibliography: 2 titles.