Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази

Abstract

Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.