Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії

Simple item page
dc.citation.epage28
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage24
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorЗаячук, Д. М.
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorМрихін, І. О.
dc.contributor.authorZayachuk, D. M.
dc.contributor.authorKrukovsky, S. I.
dc.contributor.authorMrykhin, I. O.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:35Z
dc.date.available2020-03-20T07:36:35Z
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.description.abstractНаведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.
dc.description.abstractThe results of investigations of Mg impurity influence on free carrier concentration in epitaxial layers Al0.1Ga0.9As and Al0.28Ga0.72As growing by LTLPE method are presented. It is shown that the free carrier concentration at the doped epitaxial layers is over 1·1018 cm-3 if the impurity concentration in solution-melt is over 0.014 at %. Dependences of free holes concentration in epitaxial layers on impurity concentration in the melt, crystal matrix composition, and technological condition of initial charge homogenization are analyzed.
dc.format.extent24-28
dc.format.pages5
dc.identifier.citationЗаячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 24–28.
dc.identifier.citationenZayachuk D. M. Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method / D. M. Zayachuk, S. I. Krukovsky, I. O. Mrykhin // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 24–28.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47519
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.relation.references1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970).
dc.relation.references2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970)
dc.relation.references3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000).
dc.relation.references4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970).
dc.relation.references5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974).
dc.relation.references6. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Жиляев Ю.В., Морозов Е.П., Портной Е.Л., Трофимов В.Г. ФТП. 4, 1826 (1970).
dc.relation.references7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А., Ивентьева О.О., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д. ФТП. 20, 381 (1986).
dc.relation.references8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974).
dc.relation.references9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981)
dc.relation.references10. Мастеров В.Ф. ФТП. 27, 1435 (1993).
dc.relation.references11. Гореленок А.Т.,. Каманин А.В, Шмидт Н.М., ФТП. 37, 922 (2003).
dc.relation.references12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985)
dc.relation.referencesen1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970).
dc.relation.referencesen2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970)
dc.relation.referencesen3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000).
dc.relation.referencesen4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970).
dc.relation.referencesen5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974).
dc.relation.referencesen6. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Harbuzov D.Z., Zhiliaev Iu.V., Morozov E.P., Portnoi E.L., Trofimov V.H. FTP. 4, 1826 (1970).
dc.relation.referencesen7. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Vodnev A.A., Iventeva O.O., Larionov V.R., Rumiantsev V.D. FTP. 20, 381 (1986).
dc.relation.referencesen8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974).
dc.relation.referencesen9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981)
dc.relation.referencesen10. Masterov V.F. FTP. 27, 1435 (1993).
dc.relation.referencesen11. Horelenok A.T.,. Kamanin A.V, Shmidt N.M., FTP. 37, 922 (2003).
dc.relation.referencesen12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985)
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Zayachuk D. M, Krukovsky S. I., Mrykhin I. O., 2005
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleКерування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
dc.title.alternativeControl of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method
dc.typeArticle

Files

License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.04 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2005. – №532