Прогнозування та реалізація магнетонечутливих термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-хLuхNiSn

Abstract

Досліджено температурні та концентраційні залежності питомого опору, коефіцієнта термо-ЕРС, а також енергетичні характеристики магнетонечутливого Zr1-xLuxNiSn у діапазоні Т = 80 ÷ 400 К. Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термо-ЭДС, а также энергетические характеристики нечувствительного к магнитному полю Zr1-xLuxNiSn в диапазоне Т = 80 ÷ 400 К. The temperature and concentration dependencies of resistivity, thermopower and also power descriptions of Zr1- xLuxNiSn semiconductor in range, T = 80 ¸ 400 K, were investigated.