Фотопровідність CdTe, легованого алюмінієм

Abstract

Проведено дослідження фотопровідності і фотолюмінесценції CdTe:Al, вирощеного методом сублімації. Проаналізовано процес рекомбінації носіїв заряду в залежності від температури. Із вимірювань фотолюмінесценції при 5 К отримано спектр домішок і дефектів за участю А1. Відмічено особливості фотопровідності CdTe:Al, пов’язані з величиною і напрямком електричного поля. The researches of photoconductivity and photoluminescence of CdTe:Al, brought up by a method of sublimation are carried out. The process of recombination of carriers of a charge in depending un temperature is analysed. A spectrum of impurity and defects with participation of A1 is received from measurements of photoluminescence at 5 K. The special features of photoconductivity of CdTe:Al, connected with size and direction of an electrical field, are marhed.