Корекція енергетичної характеристики напівпровідникових детекторів у дозиметричних пристроях
dc.contributor.author | Лопачак, О. М. | |
dc.contributor.author | Максимович, В. М. | |
dc.date.accessioned | 2015-12-23T10:16:09Z | |
dc.date.available | 2015-12-23T10:16:09Z | |
dc.date.issued | 2002 | |
dc.description.abstract | Розглянуто принцип роботи пристрою для вимірювання потужності і експозиційної дози радіаційного випромінювання, що забезпечує можливість апаратурної корекції енергетичних характеристик широкого класу напівпровідникових детекторів. Наведено структурну схему і приклад підбору коректуючих кодів. The work principle of device for measuring the radiation exposure dose rate, that make possible instrument correction of different semiconductor sensor characteristics, is considered. The structure scheme and the example of corrected code choose are presented. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Лопачак О. М. Корекція енергетичної характеристики напівпровідникових детекторів у дозиметричних пристроях / О. М. Лопачак, В. М. Максимович // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2002. – № 445 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 83–86. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30884 | |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
dc.title | Корекція енергетичної характеристики напівпровідникових детекторів у дозиметричних пристроях | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |