Процеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалів
No Thumbnail Available
Date
2013
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
У роботі подано результати вивчення процесів перезарядження йонів Yb3+ ↔ Yb2+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під впливом високотемпературних відпалів. Експериментально одержано кінетики окиснення та відновлення, встановлено якісні відмінності у перебігу процесів окиснення Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках та об'ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зроблено аналіз причин цих відмінностей. Виявлено істотний вплив структури приповерхневого шару зразка нашвидкість процесу окиснення. In this communication we report the results of our study of the Yb3+ ↔ Yb2+ recharge processes in Yb:Y3Al5O12 epitaxial films under high temperature annealing. Oxidation and reduction kinetics have been experimentally obtained. It was revealed that recharge process Yb2+ ® Yb3+ differs in films from that in bulk crystals, and reasons of such distinction have been analyzed. Influence of sample surface structure on the rate of oxidation process was found to be significant.
Description
Keywords
ітербій, ітрій-алюмінієвий гранат (ІАГ), зміна зарядового стану йонів, кінетика окислення, ytterbium, yttrium-aluminum garnet (YAG), recharging of ions, oxidation kinetic
Citation
Процеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалів / Н. В. Мартинюк, О. А. Бурий, С. Б. Убізський, І. І. Сиворотка // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 119–128. – Бібліографія: 23 назв.