Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.contributor.author | Цмоць, В. М. | |
| dc.contributor.author | Хляп, Г. М. | |
| dc.contributor.author | Паньків, Л. І. | |
| dc.contributor.author | Лабовка, Д. В. | |
| dc.contributor.author | Петренко, В. В. | |
| dc.contributor.author | Новоставський, Р. В. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-03-12T13:29:47Z | |
| dc.date.available | 2018-03-12T13:29:47Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.description.abstract | Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields. | uk_UA |
| dc.format.pages | 103-109 | |
| dc.identifier.citation | Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію / В. М. Цмоць, Г. М. Хляп, Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, В. В. Петренко, Р. В. Новоставський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 103–109. – Бібліографія: 5 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39595 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. Коугия К.В., Теруков Е.И. / / Физика и техника полупроводников. - 2001. - 35. - C. 643-648. 2. ГоревН.Б., ПрохоровЕ.Ф., Уколов А.Т. //Микроэлектроника. -1994. -2 4 . - C. 42-47. 3. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. - М., 1989. - 344 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. T. 1. - М., 1984. - 454 с. 5. Hernandez E. / / Cryst. Res. Technol. - 1998. -1 4 . - P. 285-290. | uk_UA |
| dc.rights.holder | Цмоць В. М., Хляп Г. М., Паньків Л. І., Лабовка Д. В., Петренко В. В., Новоставський Р. В., 2002 | uk_UA |
| dc.subject.udc | 621.315 | uk_UA |
| dc.title | Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію | uk_UA |
| dc.title.alternative | Volt-ampere charateristics of metal-semiconductors structure on the base of polycrystal silicon | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1