Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)

Abstract

Розглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .Models of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, ionized and neutral impurities in CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) are considered. The temperature dependences of electron mobility in temperature range 4.2 - 300 K are calculated.