Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій
No Thumbnail Available
Date
2005-03-01
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова.
Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння
отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.
The new efficient approach to the integration over Brillouin zone by means of an energy band spectrum approximation with Chebyshev polynomials. The suggested method has been applied to evaluation of the electronic density of states in silicon. The comparison to experimental results show the efficiency of this approach.
The new efficient approach to the integration over Brillouin zone by means of an energy band spectrum approximation with Chebyshev polynomials. The suggested method has been applied to evaluation of the electronic density of states in silicon. The comparison to experimental results show the efficiency of this approach.
Description
Keywords
Citation
Собчук І. С. Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій / І. С. Собчук, С. В. Сиротюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 126–129.