Електронні і магнітні властивості алмазу з домішками перехідних металів

Abstract

Розраховано повні й парціальні щільності електронних станів алмазу, легованого перехідними 3 d елементами, з градієнтними поправками в функціоналі обмінно-кореляційної енергії, з урахуванням сильних локальних кореляцій Зй-електронів. Розрахунки виконані методом проекційних приєднаних хвиль. Виявлено, що алмаз з домішками заміщення Сг, Мп та Ni є магнітним напівпровідником.
electron energy spectra, partial density of states, total density of states, hybridized states, strongly correlated electrons, magnetic semiconductors
Рассчитаны полные и парциальные плотности электронных состояний алмаза, легированного переходными 3 d элементами, с градиентными поправками в функционале обменнокорреляционной энергии, с учетом сильных локальных корреляций Зй-электронов. Расчеты выполнены методом проекционных присоединенных волн. Выявлено, что алмаз с примесями замещения Сг, Мп и Ni является магнитным полупроводником.

Description

Keywords

парціальна густина електронних станів, повна густина електронних станів, гібридизовані енергетичні стани, сильно скорельовані електрони, магнітні напівпровідники, Total and partial density of electronic states of diamond, doped with 3d transition elements with gradient corrections in the exchange-correlation functional of energy, taking into account the strong local correlations 3d-electrons, have been evaluated. The calculations are performed by projector augmented waves. It was found that diamond doped with Cr, Mn and Ni is a magnetic semiconductor, парциальная плотность электронных состояний, полная плотность электронных состояний, гибридизованные энергетические состояния, сильно скоррелированные электроны, магнитные полупроводники

Citation

Сиротюк С. В. Електронні і магнітні властивості алмазу з домішками перехідних металів / С. В. Сиротюк, В. М. Швед // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. — № 740 : Фізико-математичні науки. — С. 105–110.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By