Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage37
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage37
dc.contributor.affiliationScientific Research Company “Carat”, Lviv, Ukraine
dc.contributor.affiliationNational Research Tomsk State University, Tomsk, Russia
dc.contributor.affiliationRzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia
dc.contributor.authorIzhnin, I.
dc.contributor.authorVoitsekhovskii, A.
dc.contributor.authorNesmelov, S.
dc.contributor.authorDzyadukh, S.
dc.contributor.authorSidorov, G.
dc.contributor.authorVaravin, V.
dc.contributor.authorVasil`ev, V.
dc.contributor.authorDvoretsky, S.
dc.contributor.authorMikhailov, N.
dc.contributor.authorYakushev, M.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:47Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:47Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent37
dc.format.pages1
dc.identifier.citationElectrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, G. Sidorov, V. Varavin, V. Vasil`ev, S. Dvoretsky, N. Mikhailov, M. Yakushev // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 37. — (1 technology of active media for electronic engineering).
dc.identifier.citationenElectrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, G. Sidorov, V. Varavin, V. Vasil`ev, S. Dvoretsky, N. Mikhailov, M. Yakushev // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 37. — (1 technology of active media for electronic engineering).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40102
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] A. Rogalski, Infrared detectors: 2nd. ed., CRC Press, Taylor & Francis Group, New York, 2011, p. 876.
dc.relation.referencesen[2] S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov et al., J. Electron. Mater. 39 (2010) 918.
dc.relation.referencesen[3] R. Singh, A.K. Gupta, K.C. Chhabra, Defence Science J. 41 (2013) 205.
dc.relation.referencesen[4] Y. Nemirovsky, I. Bloom, J. Vac. Sci. Technol. A 6 (1988) 2710.
dc.relation.referencesen[5] A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, and S.M. Dzyadukh, Thin Sold Films 522 (2012) 261.
dc.relation.referencesen[6] R. Fu, J. Pattison, Optical Engineering 51 (2012) 104003.
dc.relation.referencesen[7] P. Zhang, Z. Ye, C. Sun et al., J. Electron. Mater. 45 (2016) 4716.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleElectrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Izhnin_I-Electrical_Properties_of_the_37.pdf
Size:
48.54 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Izhnin_I-Electrical_Properties_of_the_37__COVER.png
Size:
1.28 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
3.01 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.