Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-x Inx. Особливості електрокінетичних характеристик

Abstract

Досліджено температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термо-ЕРС напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xInx у діапазонах, Т = 80 ÷ 380 , х = 0 ÷ 0,15. Експериментально встановлена залежність між параметрами флуктуації зон неперервних енергій, глибиною флуктуації та глибиною потенціальної ями дрібномасштабної флуктуації. Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления и коэффициента термо-ЭДС полупроводникового твердого раствора ZrNiSn1-xInx в диапазонах, Т = 80 ÷ 380, х = 0 ÷ 0,15. Экспериментально установлена зависимость между параметрами флуктуации зон непрерывных энергий, глубиной флуктуации и глубиной потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации. The temperature and concentration dependencies of resistivity and thermopower ZrNi1-xSnx In semiconductor solid solution in ranges, T = 80 ÷ 380 K and x = 0 ÷ 0,15, respectively were investigated. Dependence between the parameters of fluctuation of the continuous energy bands, depth of fluctuation, and depth of the potential well of low-scale fluctuation was experimentally ascertained.