Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIB VI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

Abstract

Дисертаційна робота присвячена проблемі розроблення фізичних основ формування електричних та фотоелектричних властивостей високоомних кристалів AIIB VI , а також електричних властивостей покриттів WC і високоентропійного сплаву Ti-V-Zr-Nb-Hf. Розроблено комплекс нових методів дослідження, що охоплюють різні складові технологій приготування високоомних кристалів. Встановлено закономірні зміни дійсної та уявної частин низькочастотної діелектричної проникності в межах усього об’єму кристалічних зливків Cd1-xZnxTe та ZnSe. Встановлені особливості фотодіелектричного ефекту та координатночастотних залежностей комплексної діелектричної проникності в кристалах ZnSe пояснюються поступовою зміною системи точкових дефектів вздовж напрямку їх росту внаслідок відхилення складу кристала від стехіометричного. Встановлені особливості координатних розподілів низькочастотної комплексної діелектричної проникності в злитку Cd1-xZnxTe з застосуванням вейвлет-аналізу пояснено змінами системи електрично активних точкових дефектів, які пов’язані з вакансіями Cd та міжвузловими атомами Те. Виявлено ознаки осьової симетрії радіальних розподілів Zn і Cd у початковій області злитку Cd1-xZnxTe. The dissertation is devoted to the problem of developing the physical foundations of the formation of the electrical and photoelectric properties of high-9 resistance AIIB VI crystals, as well as the electrical properties of WC coatings and the high-entropy Ti-V-Zr-Nb-Hf alloy. A complex of new research methods has been developed, covering various components of technologies for the preparation of high-resistance crystals. Regular changes of the real and imaginary parts of the low-frequency dielectric constant within the entire volume of crystalline ingots Cd1-xZnxTe and ZnSe were established. The established features of the photodielectric effect and the coordinatefrequency dependences of the complex permittivity in ZnSe crystals are explained by the gradual change in the system of point defects along the direction of their growth due to the deviation of the crystal composition from the stoichiometric one. The established features of the coordinate distributions of the low-frequency complex permittivity in the Cd1-xZnxTe ingot using wavelet analysis were explained by changes in the system of electrically active point defects, which are associated with Cd vacancies and internodal Te atoms. Signs of axial symmetry of the radial distributions of Zn and Cd in the initial region of the Cd1-xZnxTe ingot were revealed. The correlation of the low-frequency components of the dielectric constant with the energy resolution of gamma radiation detectors was established.