Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметри

Abstract

Представлено результати вирощування методом газотранспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів InAs1-XSbX з різним складом InSb: від 2 до 16 моль %. Визначено, що високою рухливістю носіїв заряду до 30000 см2 В-2 характеризуються мікрокристали твердих розчинів складу InAs0,84Sb0,16. Легування оловом мікрокристалів InAs0,84Sb0,16 дає змогу зменшити температурні коефіцієнти сталої Холла та питомого опору порівняно із InSb за збереження високої чутливості до магнітного поля. Одночасно радіаційна стійкість таких кристалів вища за радіаційну стійкість кристалів InAs. Проведені дослідження показали, що кристали твердого розчину InAsSb є перспективними для використання їх як сенсорів магнітного поля в екстремальних умовах. Results of vapor-transport reaction method application for growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals with different InSb inclusion: from 2 mole% to16 mole% are presented in the paper. It has been determined that high charge carrier mobility up to 30000 cm2 V-1 is characteristic to solid solution microcrystals of InAs0,84Sb0,16 composition. Doping of InAs0,84Sb0,16 microcrystals with stannum allows to decrease temperature coefficients of Hall constant and resistivity as compared to InSb maintaining high magnetic field sensitivity. At the same time, radiation hardness of such crystals is higher than radiation stability of InAs crystals. The conducted research has shown that crystals of InAsSb solid solution are perspective for being used as magnetic field sensors in extreme environment.