Прогнозування характеристик термометричного матеріалу Hf1-x Lux NiSn

Abstract

Проведено розрахунок електронної структури та кінетичних характеристик термометричного матеріалу Hf1-xLuxNiSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × см-3 ( x = 0,01)÷1.9×1021 см-3 ( x = 0.10 ). Показано, що характеристики матеріалу Hf1-xLuxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. Проведен расчет электронной структуры и кинетических характеристик термометрического материала Hf1-xLuxNiSn в диапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × см-3 ( x = 0,01) ÷ 1.9×1021 см3 ( x = 0.10 ). Показано, что характеристики материала Hf1-xLuxNiSn чувствительны к изменению температуры и он может быть основой для изготовления чувствительных элементов термопреобразователей. The Hf1-xLuxNiSn thermometric material was characterized by the electronic structure calculations and electron transport characteristics in the range: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × cm-3 ( x = 0.01)÷1.9×1021 cm-3 ( x = 0.10 ). The material is sensitive to the temperature change and could be used as the basis for the sensitive thermoelectric devices.