Browsing by Author "Логуш, О. І."
Now showing 1 - 7 of 7
- Results Per Page
- Sort Options
Item Взаємозв'язок напружень в системах Si-SiO2 з процесами утворення тримірних дефектів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Логуш, О. І.; Білинський, Ю. М.Item Вплив технологічних параметрів на розміри зерен при осадженні селеніду цинку з газової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Білинський, Ю. М.; Дубельт, С. П.; Логуш, О. І.; Харамбура, С. Б.Item Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Товстюк, К. К.; Логуш, О. І.; Доннікова, Д. В.Розрахована концентрація дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окислення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв’язували за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень. The concentration of doped Zn introduced in gas while Si oxidation has been calculated. In our diffusion equation we did not considerate the oxidants formation. The diffusion equation were solved by using the approximation of Bolzmann. Comparing our results with experimental data denotes the validity of our approximations.Item Масоперенос Селеніду Цинку у квазізакритій системі(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Білинський, Ю. М.; Дубельт, С. П.; Лобойко, В. І.; Логуш, О. І.Розглянуто можливі механізми масопереносу при сублімації ZnSe у квазізакритій системі в температурному діапазоні 1100…1400 К, який є оптимальним для вирощування полікристалічних зразків високої прозорості. Показано, що переважаючим є перенесення речовини газодинамічним потоком, і визначальний вплив на його величину та властивості вирощених кристалів має температура зони джерела. Possible mechanisms of mass transport attached to ZnSe sublimation in quasi closed system for temperature diapason 1100…1400 K. This temperature region is optimum for the growth of the polio crystal samples of high transparency. Shown, the prevalence of the gas stream transport and the dominant influence of the vaporization temperature on the on the properties of the samples.Item Напруження в системах Si-SiO2 як причина утворення дефектів(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Логуш, О. І.; Білинський, Ю. М.Item Наслідування дефектами плівок термічного SiO2 дислокаційної структури підкладки(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Логуш, О. І.Item Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Логуш, О. І.; Павлиш, В. А.Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту. The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.