Browsing by Author "Українець, Н. А."

Now showing 1 - 10 of 10

Вплив атмосфери відпалу на оптичне пропускання хімічно осаджених плівок CdS
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Ільчук, Г. А.; Кусьнеж, В. В.; Шаповал, П. Й.; Долинська, Л. В.; Петрусь, Р. Ю.; Українець, Н. А.
Гетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Ільчук, Г. А.; Кусьнеж, В. В.; Українець, В. О.; Охремчук, Є. В.; Кунтий, Орест Іванович; Українець, Н. А.; Ilchuk, G. A.; Kusnezh, V. V.; Ukrainets, V. O.; Ohremchuk, E. V.; Kuntyj, O. I.; Ukrainets, N. A.; Національний університет “Львівська політехніка”
Створено гетероконтакт (ГК) CdS/білок електрохімічно осадженої плівки CdS з природним білком та досліджено його електрофізичні (вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики) властивості. Як анод-підкладка для осадження CdS використані металургійний Cd, кадмійована фольга металів Cu, Ni. В порівняльному плані створені і досліджені ГК Cd-CdS/білок, Ni-Cd-CdS/H2O та Cd/білок. Показано, що гетероконтакт електрохімічно синтезованих плівок CdS з природним білком може бути використано як експрес-метод контролю параметрів цих плівок.
Електропровідність аргіродитів Ag8XSe6 (X = Ge, Sn)
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Чекайло, М. В.; Українець, Н. А.; Ільчук, Г. А.; Українець, В. О.
Електропровідність і діелектрична проникність монокристалічного аргеродиту Ag8SnSe6
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Венгрин, Б. Я.; Українець, В. О.
Максимально допустимі концентрації переносників NH4X (Х=Вг,С1) при вирощуванні CdxHgi-xTe методом хімічних транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ільчук, Г. А.; Українець, В. О.; Данилов, А. Б.; Українець, Н. А.; Харамбура, С. Б.
На основі результатів розрахунку рівноважного складу парової фази системи CdxHgi_xTe-Hg-NH4Br при заданих тисках Hg в інтервалі температур 560-860К і надлишкових тисків Ар = 103-=-105 Па визначені речовини, які вносять основний вклад в масоперенесення кадмію, ртуті і телуру - CdBr2, Hg, Те2. Для телурової границі області гомогенності CdxHgi_xTe складів х = 0.2; 0.3; 0.4 та відхилень від неї в бік металічної границі твердого розчину (для різних тисків ртуті в системі) визначені максимально допустимі концентрації броміду амонію, що відповідають утворенню насичених парів диброміду кадмію в системі CdxHgi_xTe -Hg-NH4Br. При проведенні процесів росту CdxHgi_xTe в системі CdJlg,_vTe —Hg-NH4C1 у досліджуваному інтервалі температур і надлишкових тисків обмеження на використовувану концентрацію переносника NH4C1 практично не існує. The substances (CdBr2, Hg, Te2) that make main contribution into mass transfer of cadmium, mercury and tellurium are determined from the results of computation of vapor phase equilibrium composition of CdxHgi-xTe-Hg-NH4Br system in temperature range 560-860 K for excess pressure Ар = 103-=-105Pa and controlled pressures of mercury. Maximum allowable concentrations of ammonium bromide that correspond to formation of saturated vapor of cadmium dibromide in the system Cd,Hg,Te-Hg-NH4Вr were determined for CdxHgbxTe (with composition x = 0.2; 0.3; 0.4) homogeneity region limit from the tellurium side and for deviation of side to metallic limit of solid solution for different pressures of mercury in the system. It was shown that in the studied temperature and excess pressure ranges there is practically no limit on NHjCl concentration in the system CdxHgbxTe-Hg- NH4Br when CdxHg,.xTe is grown.
Особливості деградації поверхнево-бар’єрних структур метал-P-CDTE
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Українець, В. О.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Петрусь, Р. Ю.; Лобойко, В. І.
Досліджені закономірності самодовільної зміни з часом (деградації) вольт-амперних характеристик (ВАХ) та залежностей диференціальних параметрів поверхнево- бар’єрних структур (ПБС) метал-р-Сс1Те від напруги зміщення. Показано, що з часом, в умовах взаємодії структур з навколишнім середовищем, відбувається збільшення струмової відтинки ВАХ, зменшення струму насичення, переміщення експоненціальної ділянки в область високих напруг та зростання диференціальних ємності і провідності в області прямих зміщень. Ці явища зумовлені зростанням товщини проміжного шару між металом і напівпровідником, який містить глибокі центри. The peculiarities of spontaneous changes in time (degradations) of current- voltage characteristics (CVC) and dependences of differential parameters of metal-p-CdTe surface- barrier structures on bias voltage are investigated. It is shown that in conditions of the structure interaction with an environment, the increase of current intercept in the CVC, decrease of saturation current, shift of exponential area in the region of higher voltage and increase of differential capacity and conductivity in the region of direct bias take place with time. These phenomena are conditioned by increase of thickness of intermediate layer between the metal and semiconductor which contains deep centers.
Особливості теплового розширення аргіродиту Ag2GeSe6
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Данилов, А. Б.; Українець, В. О.
Вперше в неперервному режимі зміни температури та з використанням монокристалів потрійної напівпровідникової сполуки Ag8GeSe6 групи AIBIVCVI досліджені особливості теплового розширення (t=-30...+110C) вздовж кристалографічного напрямку [111] -фази. Виявлено існування на температурній залежності термічного коефіцієнта лінійного розширення =f(T) двох різко виражених і добре відтворюваних екстремумів з величезними значеннями  (макс=650010-6 град-1, мін =-2800 10-6 град-1, під час нагрівання, та макс=170010-6 град-1, мін =-1800 10-6 град-1, при охолодженні), які локалізовані в області температур -0,5°C і 48,2 °C та суттєво слабшого екстремуму при 72,7°C. Уточнені температури фазових переходів становлять -0,5°C, 48,2°C і 72,7°C. Показано, що перші два екстремуми зумовлені фазовими переходами першого роду. For the first time for continuous mode of temperature change (t=-30...+110C) end with the use of single-crystals of ternary semiconductor compound Ag8GeSe6 AIBIVCVI group thefeatures of thermal expansion along [111] -phase crystallography direction have been investigated. The existence of two sharply expressed and well reproduced extremums with the enormous values  (max=170010-6 deg-1, min =-1800 10-6 deg -1, for heating and max =170010-6 deg -1, min =-1800 10-6 deg -1, for cooling) localized in the temperatures range of -0,5°C and 48,2 °C as well as substantially weaker extremum at 72,7°C have been discovered on the temperature dependence of thermal coefficient of linear expansion =f(T). The refined temperatures of phase transitions are -0,5°C, 48,2°C and 72,7°C. It is shown, that the first twoextremums are conditioned by first order phase transitions.
Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.
На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.
Фазові перетворення і хімічні реакції в шихті і сполуках родини аргіродитів Ag8XSe6 (X=Si, Ge, Sn)
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Українець, В. О.
Щодо чисел іонного перенесення аргіродитів Ag8XSe6 (X=Sn, Si, Ge)
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Кондрай, Г. П.; Українець, В. О.