Browsing by Author "Шпотюк, О. Й."

Now showing 1 - 16 of 16

Вплив γ-випромінювання на перший чіткий дифракційний пік трисульфіду миш'яку
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.
Деградаційні процеси в мультирівневих товстоплівкових структурах
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.
До питання про кінетику ізотермічної деградації напівпровідникової терморезисторної кераміки Cu0.1Nio.8Co2 2Mn1.904
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Шпотюк, О. Й.; Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Пехньо, В. І.; Науково-виробниче підприємство “Карат”; Політехніка Варшавська; Институт загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН України
Обговорюються результати дослідження термічної деградації терморезисторів на основі керамічних напівпровідникових композитів CuojNio.sCoo^Mni.ijO^ Встановлено, що аналітичним виразом кінетики цього процесу є релаксаційна функція ДеБаста - Джіларда або Уїльямса - Уотса. Отриманий результат підтверджує той факт, що в дисперсно-розпорядкованих системах ізотермічна деградація того чи іншого парам етра носить експоненціально-степеневий характер.
Конфігураційно-координатний опис кінетики зовнішньо-індукованих структурних перетворень в тонких плівках аморфних халькогенідів
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Шпотюк, О. Й.
Кристалізаційні процеси в стеклах 80GeSe2-20Ga2Se3
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Клим, Г. І.; Інграм, А.; Шпотюк, О. Й.
Моделювання кластерів з подвійними зв'язками в склах As-S
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бойко, В. Т.; Шпотюк, О. Й.
Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.
Наноструктуровані температурно-вологочутливі сенсорні структури на основі шпінгельної кераміки
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Особливості термодеградаційних ефектів в товстих плівках змішаних оксиманганітів перехідних металів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Кпим, Г. 1.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Брунець, І. М.; Шпотюк, О. Й.
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одношарових товстоплівкових терморезисторних елементах на основі змішаних манганітів Cuo.1Nio.sCoo.2Mn1.9O4 та Cuo.sNio.1Coo.2Mn1.9O4. Виявлено ефект термічного “шоку”, який проявляється в різкому зростанні електричного опору плівок в першому циклі їх ізотермічної витримки при 170 °С з подальшим збереженням опору на встановленому рівні під час подальшого продовження деградаційного тесту. Припускається, що природа цього ефекту аналогічна до механізму термодеградації у масивних керамічних зразках вищевказаних складіа The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single¬layered thick-film thermistors basedon mixed manganices Cuo.1Nio.sCoo.2Mn19О4 and Cuo.sNio.iCoojMni 9О4 are investigated. The effect of thermal “shock” was disclosed. It is show in cutting increase of electrical resistance, in thick films on the initial stage of isothermal exposure at 170 °С with subsequent preservation of resistance on this level after continuation of degradation test. We suppose that the nature of this effect is similar to mechanism of thermodegradational in voluminous ceramic samples of analogous stores.
Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.
Релаксація радіаційно-індукованого поглинання у склоподібних напівпровідниках на основі сульфідів Миш’яку та Германію
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Ваків, М. М.; Шпотюк, О. Й.
Обговорюються результати дослідження процесів часової деградації радіаційно-індукованих змін оптичних властивостей склоподібних напівпровідників системи (As2S3)x(Ge2S3)1-x при варіації середнього координаційного числа Z. Встановлено, що адекватна математична модель для опису даних процесів може бути розвинута на основі бімолекулярної релаксаційної функції, властивої для анігіляції структурних дефектів у формі протилежно заряджених аномально координованих атомів. На основі проведених розрахунків підтверджується висновок про екстремальність властивостей цих стекол при Z=2,67. The results on the time degradation of radiation-induced changes of optical properties in vitreous semiconductors of (As2S3)x(Ge2S3)1-x system at the average coordination number Z variation were discussed. It is established, that the adequate mathematical model for description of these processes could be developed at the basis of bimolecular relaxation function corresponded to annihilation of structural defects in the form of oppositively charged atoms with anomal coordination. The conclusion on the extremal character of the investigated glasses properties in the point of Z=2.67 was proved owing to fulfilled calculations.
Структурна модифікація бінарних as-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.
Наведено числовий критерій структурної модифікації халькогенідних склуватих напівпровідників. Розділено вплив in-situ структурної модифікації та внеску від наступної структурної релаксації на кінцеву метастабільну in-situ структурну модифікацію. Внесок від структурної релаксації розділений на три різні канали (внески від переключення зв’язків, вільного об’єму та металічності). Числовий критерій структурної модифікації розрахований для As-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників систем As-S і As-Se. Показано, що теоретично розраховані дані адекватно описують експериментально отримані результати інших авторів. Numerical criterion for structural modification of chalcogenide vitreous semiconductors was presented in this work. It was divided influences of the in-situ structural modification and follow structural relaxation input on the final metastable ex-situ structural modification. Structural relaxation input was divided on the three different channels (bond-switching, free volume and metallicity inputs). Numerical criteria of structural modification were calculated for As-based chalcogenide vitreous semiconductors of the As-S and As-Se systems. It was shown that theoretically calculated data are adequate describe experimentally obtained results of other authors.
Структурна модифікація бінарних As-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.
Тенденції склоутворення бінарних халькогенідних стекол
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Бойко, В. Т.; Шпотюк, О. Й.
Термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах Ge-Ga-Se
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Клим, Г. І.; Шпотюк, О. Й.; Кулик, Б. Я.
Досліджено термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах 80GeSe2- 20Ga2Se3 з використанням рентгенівської дифрактометрії, атомно-силової мікроскопії та позитронної анігіляційної спектроскопії. Показано, що спостережувані зміни в дефектній компоненті анігіляційного спектра під час відпалу свідчать про нуклеацію, яка супроводжується агломерацією пустот на початкових етапах термічного відпалу з подальшою структурною фрагментацією великих вільнооб’ємних пустот у більшу кількість пустот меншого розміру за одночасної кристалізації фаз GeGa4Se, Ga2Se3 та GeSe2. Зважаючи на відхилення значень часу життя позитронів tb від відповідних значень для компонентів GeSe2 та Ga2Se3, досліджувані стекла не можна класифікувати як типові псевдобінарні системи. Thermally-induced crystallization processes in 80GeSe2-20Ga2Se3 glass caused by annealing at 380 °C for 10, 25, 50, 80 and 100 h are studied using X-ray diffraction, atomic force microscopy and positron annihilation lifetime spectroscopy. It is shown that observed changes in defect-related component in the fit of experimental lifetime spectra for annealed glasses testifies in a favour of structural fragmentation of larger free volume entities into smaller ones at crystallization of GeGa4Se, Ga2Se3 and GeSe2 phases with preceding nucleation and void agglomeration in the initial stage of annealing. Because of strong deviation in defect-free bulk positron lifetime tb from corresponding additive values proper to boundary constituents, the studied 80GeSe2-20Ga2Se3 glasses cannot be considered as typical pseudo-binary systems.