Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2004. – №510

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30985

У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] : публікації за матеріалами 8-го міжнародного симпозіуму "Технології мікроелектроніки та мікросистеми", 14-16 жовтня 2004 року / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2004. – № 510 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 132 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Creation of temperature field using resistive thick - film heater systems
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Bfeyi, G.; Hotra, Z.; Kalita, W.; Klepacki, D.; Rozak, F.; Wgglarski, M.
    In a great number of electronic devices the operation temperature higher than room temperature is required. Sensors of the different physical and chemical quantities are very good example of such circuits. Additionally, the temperature field distribution is one from the main factor which determines proper exploitation parameters. Thick - film technology is often used for creation of heater systems in above-mentioned devices. The idea of heater systems construction (made in thick-film technology) has been included in the paper. The results of simulations (using ANSYS program) and 1R measurements have been also presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Development of PNH4+ sensitive isfet
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Temple-Boyer, P.; Hotra, Z.; Holyaka, R.; Humenyuk, I.
    Front-side connected, N-channel, normally-off, Si02/Si3N4 Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) microsensors have been fabricated and adapted to the ammonium ion detection thanks to polysiloxane ionosensitive layer. This photosensitive polymer has been deposited on dielectric gate and patterned either by dip coating, either by spin coating and photolithography techniques. The sensitivity characteristics of both structures have been studied. The sensors have been shows a good quasi-nernstian sensitivities to NH/ cation in the different solution of ammonium nitrate (NH4N03) IIO'^.IO'1] M.