Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2003. – №491
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003. – № 491 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 92 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Оптимізація технології виготовлення твердих планарних джерел бору(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Мищишин, В. М.; Богдановський, Ю. М.Оптимізовано технологію виготовлення твердих планарних джерел (ТПД) бору методом повного факторного експерименту. Досліджено вплив дисперсності і процентного вмісту компонентів дифузанту на максимальну температуру експлуатації ТПД бору. Optimization of technology for production of solid planar sources (SPS) of boron has been made by a method of full factor experiment. The influence of a dispersivity and percentage contents of components for a diffusant has been investigated on maximum exploitation temperature of SPS of boron.Item Спосіб вимірювання опору контактного з'єднання мікродроту і плівкового провідника(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Смеркло, Л. М.Розглянуто питання вимірювання електричного опору мікроконтактного з'єднання дроту і плівкового провідника в інтегральних мікросхемах і мікроскла- даннях. Запропоновано спосіб, який підвищує точність вимірювання. The problems of measurement of electrical resistance of mikrocontact connection of wire and film conductor in integrated microcircuits and microassemblies are considered. The new method which improves measuring precision is proposed.Item Пристрої для динамічної компенсації реактивної потужності в енергосистемах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Пеленський, Р. А.Досліджено проблему динамічного компенсування реактивної потужності в енергетиці та її вплив на покращання якості електроенергії, на краще використання наявних енергетичних потужностей та ліній пересилання електроенергії. Проаналізовано роботу функціональних елементів керованої енергетичної електроніки на основі тиристорних та МОН-вентилів. Запропоновано пристрої для динамічної компенсації реактивної потужності зі зменшеним впливом на якість енергосередовища. The problem of the dynamic var compensation in power systems and its impact on improving the quality of electric power as well as on a better employment of the available power capacities and electric energy transference lines have been discussed. The work of the functional elements of the guided power electronics based on the thyristor and metal-oxide-semiconductor valves has been analyzed. Setups for a dynamic compensation of the reactance var power with the decreased impact on the quality of the power environment have been suggested.Item Побудова точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Собчук, І. С.Запропоновано метод побудови сукупності точних розв’язків стаціонарного рівняння Больцмана для однорідного напівпровідника з ізотропним законом дисперсії у випадку ефекту Холла та електропровідності. Визначено критерій відбору фізичних розв’язків серед сукупності математичних розв’язків рівняння Больцмана. The way of construction of totality of the exact solutions of a stationary Boltzmann equation for the homogeneous semiconductor with the isotropic dispersion law is proposed in case of Hall effect and electrical conductivity. The criterion of selection of the physical solutions from totality of the mathematical solutions of Boltzmann equation is determined.Item Зміст до Вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки" № 491(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003)Item Висококонтрастні рідкокристалічні модулятори лазерного випромінювання(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Лопатинський, І. Є.; Сушинський, О. Є.Дослідженно процес розсіювання лазерного випромінювання в шарі індукованого холестерика. Запропоновано шлях збільшення величини контрасту для рідкрокристалічних модуляторів на основі холестерико-нематичного переходу. Досліджувались суміші індукованих холестериків на трьох довжинах хвиль лазерного випромінювання 0,63 мкм, 1,15 мкм і 3,39 мкм із використанням запропонованої конструкції рідкокристалічної комірки. The light scattering of laser radiation in induced cholesteriс layers was investigated. The ways of contrast incrising for liquid crystal modulators based on cholesteric-nematic transiotion was represeted. The investigation of induсed cholesteric mixtures was on the three waves of laser radiation 0,63 mkm, 1,15 mkm і 3,39 mkm and in the represented liquid crystal cells.Item New Series Of Resistive Pastes Based On ZnO.B2O3 .MoO3 Bi2O3 Al2O3 Glass(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Hotra, Z.; Jakubowska, M.; Primowicz, M.; Zwierkowska, E.; Achmatowicz, S.Наведено результати розробки і дослідження нових резистивних паст, які не містять благородних металів. Paper presents results of design and research on new series of resistive pastes which do not contain noble metals.Item Кінетичні властивості кристалів та важливі параметри приладних структур, виготовлених на їх основі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Буджак, Я. С.Наведено важливі кінетичні властивості напівпровідникових кристалів та обгрунтовані і розраховані важливі характеристики простих приладних структур, які випливають із законів нерівноважної термодинаміки. The important kinetic properties of semiconductor crystals are considered and characteristics of simple application structures which appear from non-equilibrium thermodymanics are proved and calculated.Item Thermal Properties Of Thick Film Structures Resistor оn Dielectric(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Jakukowska, M.; Kalita, W.; Lozbin, V.Описано результати дослідження теплових властивостей різноманітних товстоплівкових структур “резистор на діелектрику”. The results of experimental investigations for thermal properties of thick-film structures “resistor on dielectric” are considered in the paper.Item Simulation of temperature distribution in thick-film multilayer structures(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Blad, G.; Hotra, Z.; Klepacki, D.; Potencki, J.Сучасні товстоплівкові багатошарові структури, зокрема сенсорні пристрої часто вимагають високої робочої температури. Відомим прикладом таких систем є газові сенсори, які функціонують при температурах до 900 °C. Застосування товстоплівкової технології дозволяє отримувати нагрівачі з високими експлуатаційними параметрами. Наведено результати моделювання теплових полів для стандартних нагрівачів, які живляться постійною напругою, з використанням програм HYBTERM і PSPICE (класична дискретна модель Бюкена). The modern thick-film multiplayer structures (like sensor systems) often require the high operation temperature. The very good example of such structures are gas sensors. They operate in temperature even up to 900°C. The application of thick-film technology allow to obtain the heater systems with very good exploatation parameters. The paper presents results of temperature field simulations of the standard heaters (supplied by DC voltage) with using HYBTERM and PSPICE (classic discrete Beuken model) program.Item Електронне моделювання хемілюмінесценції біооб’єктів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Андрусик, І. Я.Вивчено залежність хемілюмінесценції від складу буферного розчину. Досліджено умови виникнення хемілюмінесценції і пояснено виникнення частинної інверсійної заселеності в реакціях з накопиченням кінцевих продуктів. На основі запропонованої моделі пояснено результати експериментальних досліджень зроблених іншими авторами. The chemiluminescence buffer solution dependencies was studied. The conditions of chemiluminescence arise was investigated and the partially inverse population arise in the reactions with final products accumulation was explained. On the basis of the proposed model the results of the experiments and the investigations carried on by other authors was explained.Item Electronic psychrometer based on August-Assmann method(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Proszak, W.; Proszak, D.; Hotra, O.; Melnyk, O.Наведено результати розробки, моделювання та описано функціонування електронного психрометра на основі методу Огуста–Асмана. The design, modelling and operation of electronic psychrometer based on August-Assmann method are considered at the paper.Item Спецпроцесори для реалізації дискретних спектральних перетворень(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.Показано методи підвищення ефективності мікроелектронних пристроїв для реалізації спектральних перетворень сигналів за рахунок використання алгоритму швидкого перетворення сигналів з активним використанням пауз між надходженням відліків досліджуваного сигналу. Приведено структурну організацію та функціональні можливості цифрового мікропроцесора NM6403, на базі якого можна реалізувати алгоритми спектральних перетворень у різних базисах функцій. The methods of increase of efficiency of microelectronic devices for spectral transformation of signals are shown, at the expense of use of algorithms of fast spectral transformations with active use of pauses between receipt of readout of a researched signal. The structural organization and functionalities of the digital microprocessor NM6403, on the basis of which it is possible to realize algorithms of spectral transformations in different bases of functions is given.Item Оптичні елементи з електрохромним полімерним шаром(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Аксіментьєва, О. І.; Конопельник, О. В.; Гриців, М. Я.; Стахіра, П. Й.; Черпак, В. В; Дорош, О. Б.Перспективним методом одержання невипромінювальних дисплеїв є застосування електрохромних органічних плівок на прозорих поверхнях, що також дає можливість створювати оптоелектронні пристрої з тривалою оптичною пам’яттю [1–3]. Запропоновано конструкції для електрохромних дисплеїв з шаром WO3 у протонному електроліті, здатні до зміни кольору від безбарвного до синього під дією прикладеного потенціалу. Великий інтерес як електрохромні матеріали викликають електропровідні полімери, зокрема, поліанілін і його похідні. Perspective method for non-emissive display production is the application of electrochromic organic films on transparent surfaces, which also gives a possibility to create optoelectronic devices with long memory storage. A number of constructions are proposed for electrochromic display based on WO3 layer with color change from white to blue following to applied potential. It’s known that electrochromic displays on the base of organic dyes harmonize with the background and are soft for human eyes, but their erasing-rewriting rate is slow.Item Рідкокристалічний матеріал для порогового сенсора температури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Готра, О. З.; Фечан, А. В.; Микитюк, З. М.; Черпак, В. В.; Лопатинський, І. Є.Досліджено температурні залежності фізичних параметрів рідкокристалічних матеріалів та електрооптичних характеристик холестерико-нематичного переходу для немато-холестеричних сумішей на базі серійного нематичного рідкого кристала СЖК-1 з домішкою сильнополярного нематичного рідкого кристала бороксан та немезогенною оптично-активною домішкою ВІХН-3. Отримані результати дають змогу запропонувати конструкцію порогового сенсора температури. Принцип дії такого сенсора базується на зміні прозорості рідкокристалічної комірки під дією температури при сталій напрузі. The paper dedicated to investigation of temperature dependences of liquid crystal mixtures and electrooptical characteristics of cholesteric-nematic transition of nematic-cholesteric mixture on base of serial nematic liquid crystal SGK-1 with strong polar nematic liquid crystal boroxan and nonmesogenic optical active dopant VIHN-3 was carried out. The obtained results give a possibility to propose a threshold temperature sensors construction. The principle of sensor functioning based on transparency changing of liquid crystal cell at constant applied voltage.Item Закручуюча здатність оптичноактивних домішок в сумішах слабо- і сильнополярних нематичних рідких кристалів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Фечан, А. В.; Микитюк, З. М.; Семенова, Ю. В.Відомо, що введення хіральної молекули (молекули холестерика чи немезогенної оптично-активної домішки) в нематичну матрицю приводить до утворення надмолекулярної спіральної структури з періодом P (крок спіралі). Такі рідкокристалічні системи отримали назву “індуковані холестерики”. Досліджено вплив типу хіральної домішки та структурної впорядкованості нематичних матриць на процес утворення надмолекулярної спіральної структури індукованих холестериків. It is known that introduction of hiral molecular (molecular of cholesteric or nonmethogenic optical-active dopant) on nematic matrix lead to creation of suoer molecular hiral structure with the period P (spiral pitch). Such liquid crystal system named induced cholesteric. Such paper dedicated to investigation of hiral type and nematic matrixes structure regularity influence on process of supermolecular spiral structure of induced cholesteric creation.Item Дірковий та іонний механізм розпаду VKD – центрів в кристалах SrCl2-K(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Качан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.Досліджено термоіндуковані перетворення діркових та електронних центрів забарвлення в кристалах SrCl2-K. Вивчена роль VKD-центрів (es +Me+Va+-центри) у таких процесах: 135 K + + + + s a KT a A a e+Me+V+ Me V+ + e ; e + F Me V+ + h α → → ν . 140 K + + + + s a KT a a a A A e+Me+V+ → Me V+ + V ; V + F → M . Перша реакція описує процес знебарвлення кристала, друга реакція зумовлює FA→MA+-перетворення. Thermoinductive conversions of hole and electronic centres of colouring in SrCl2-K-crystals are investigated. The role of VKD centres (es+Me+Va+-centres) in given processes is studied: 135 K + + + + s a KT a A a e+Me+V+ Me V+ + e ; e + F Me V+ + h α → → ν . 140 K + + + + s a KT a a a A A e+Me+V+ → Me V+ + V ; V + F → M . The first reaction describes thw process of decolouring of crystal, the second reaction causes FA→MA + conversions.