Електроніка. – 2007. – №592

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.

Browse

End date: 2007Subject: search.filters.subject.синтез

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив часткових заміщень компонентів на кристалічну структуру сполук серії M2Cu2O3-CuO2
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Заремба, О. І.; Гладишевський, Р. Є.
    Синтезовано шаруваті купрати серії (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 з частковим заміщенням Ca та Sr на Gd, Dy, Er або Yb(Y). Методом рентгенівського дифракційного аналізу полікристалічних зразків виявлено, що розчинність рідкісноземельних металів у сполуці (Ca6Sr8)Cu24O41 є обмеженою (до вмісту 2–4 атоми на формульну одиницю), як і Sb, Sn, In, Ge та Ga (до вмісту 0,24 атома на формульну одиницю). У структурі сполуки (Ca6Sr8)Cu24O41 атоми Cu можна замістити на атоми Ni до складу (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, тоді як при заміщенні на Co граничним є склад (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, при якому спостерігається ущільнення атомних шарів у структурі та видовження ланцюгів квадратів CuO4. The layered cuprates of (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 series with partial substitution of Ca and Sr by Gd, Dy, Er or Yb(Y) were obtained. X-ray powder diffraction analysis indicated that solubility of rare-earth metals in (Ca6Sr8)Cu24O41 compound is limited (up to 2-4 atoms per unit cell), as well as Sb, Sn, In, Ge and Ga (up to 0,24 atom per unit cell). The Cu atoms in the structure of (Ca6Sr8)Cu24O41 compound can be replaced by Ni atoms up to compositio (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, whereas at substitution by Co the limited composition is (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, where the compression of the atomic layers and extension of chains of CuO4 squares take place.
  • Thumbnail Image
    Item
    Технологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структур
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Яремчук, І. Я.
    Проаналізовано вплив похибки напилення шарів при одержанні багатошарових діелектричних та металодіелектричних систем на їхні оптичні характеристики. Проаналізовано найчутливіші шари, в яких навіть мінімальне відхилення від заданої товщини призводить до недопустимого спотворення спектральної кривої. Досліджено залежність півширини смуги пропускання від товщини діелектричних шарів з високим показ- ником заломлення. The analysis of influencing of error of deposition of layers at the receipt of multilayer dielectric and metal-dielectric systems on their optical characteristics was conducted. The most sensitive layers in what even minimum deviation from the control thickness results to impermissible deformation of spectral curve, was analyzed. It was researched dependence half-width of band of transmission from the thickness of dielectric layers with the high index of refraction.