Електроніка. – 2004. – №514

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38891

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У цьому пам’ятному номері Вісника, присвяченому 50-річчю від дня народження відомого українського вченого в галузі фізики і технології матеріалів електронної техніки, доктора фізико-математичних наук, професора, дійсного члена Академії технологічних наук України Андрія Орестовича Матковського (31.05.1954–10.02.2004), поміщено оглядові статті його учнів і співробітників, що підсумовують стан наукових досліджень у тих напрямках, в яких активно працював проф. А. О. Матковський, а також результати оригінальних досліджень, проведених в останні роки під його керівництвом. Тематика Вісника Національного університету «Львівська політехніка» «Електроніка» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути подані як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004. – № 514 : Електороніка / відповідальний редактор Д. Заячук. – 148 с. : іл.

Browse

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.
    Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.