Електроніка. – 2004. – №514

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38891

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У цьому пам’ятному номері Вісника, присвяченому 50-річчю від дня народження відомого українського вченого в галузі фізики і технології матеріалів електронної техніки, доктора фізико-математичних наук, професора, дійсного члена Академії технологічних наук України Андрія Орестовича Матковського (31.05.1954–10.02.2004), поміщено оглядові статті його учнів і співробітників, що підсумовують стан наукових досліджень у тих напрямках, в яких активно працював проф. А. О. Матковський, а також результати оригінальних досліджень, проведених в останні роки під його керівництвом. Тематика Вісника Національного університету «Львівська політехніка» «Електроніка» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути подані як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004. – № 514 : Електороніка / відповідальний редактор Д. Заячук. – 148 с. : іл.

Browse

Filters

20042

Settings

Author: search.filters.author.Бурий, O. A.Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.
    Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.
    Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.