Електроніка. – 2005. – №532

Permanent URI for this collection

https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47491

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка” : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. – № 532 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 186 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст

1. Титульний аркуш до Вісника “Електроніка”	1
2. Большакова І. А., Голяка Р. Л., Єрашок В. Е. Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд	3
3. Большакова І. А., Кость Я. Я., Луців Р. В., Макідо О. Ю., Московець Т. А. Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм	15
4. Дутчак З. А., Ракобовчук Л. М. Особливості переходу аморфного селену в кристалічний стан	21
5. Заячук Д. М., Круковський С. І., Мрихін І. О. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії	24
6. Ковалюк Б. П., Нікіфоров Ю. М. Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі	28
7. Лопатинський І. Є., Рудий І. О., Курило І. В., Вірт І. С., Фружинський М. С., Кемпник В. І. Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу	33
8. Шандра З. А. Вплив розподілу струму розряду по катоду комірки Пеннінга на рівномірність напилених плівок	42
9. Дружинін А. О., Матвієнко С. М., Панков Ю. М. Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур	48
10. Єрохов В. Ю. Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії	54
11. Ільчук Г. А., Кусьнеж В. В., Українець В. О., Охремчук Є. В., Кунтий О. І., Українець Н. А. Гетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію	60
12. Лопатинський І. Є., Павлова Г. О., Ракобовчук Л. М., Яворський Б. М. Відліковий пристрій на рідких кристалах	65
13. Микитюк З. М., Фечан А. В., Гураль В. В., Волинюк Д. Ю. Просторово-часовий модулятор світла на ефекті холестерико-нематичного переходу	68
14. Савицький Д. І., Сугак Д. Ю., Сольський І. М., Бурий О. А., Іжнін О. І., Василечко Л. О., Жеграй Р. Т., Кухарук С. В., Шопа Я. І. Двопроменева поляризаційна призма на основі кристала ніобату літію з двійниковою границею	74
15. Глушик І. П., Стахіра П. Й., Аксіментьєва О. І., Микитюк З. М., Фечан А. В., Черпак В. В. Оптичні спектри поліаніліну в середовищах з різним водневим покажчиком	81
16. Хандожко О. Г., Слинько Є. І. Нестійкість металевої підгратки SnTe	85
17. Чорній З. П., Качан С. І., Пірко І. Б., Салапак В. М. Релаксація електрично заряджених центрів забарвлення в кристалах флюоритів. одновимірна модель	90
18. Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Островський І. П., Павловський Ю. В. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge	99
19. Яковина В. С., Жидачевський Я. А., Михайлик В. Б., Сольський І. М., Сугак Д. Ю. Вплив зовнішніх факторів на люмінесцентні властивості вольфрамату кальцію	105
20. Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Павловський І. В., Ховерко Ю. М. Осциляції магнітоопору ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах	112
21. Малик О. П., Кеньо Г. В., Петрович І. В. Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)	117
22. Собчук І. С., Сиротюк С. В. Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій	126
23. Сиротюк С. В., Краєвський С. Н., Кинаш Ю. Є. Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії	129
24. Товстюк К. К. Класифікація подвійних перестановок для електрон-фононної взаємодії	133
25. Тиханський М. В., Крисько Р. Р., Партика А. І. Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах	138
26. Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Новиков М. М., Павловський Ю. В., Салань В. П., Пацай Б. Д. Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si	147
27. Чигінь В. І., Карп’як С. Ю. Модель нерівноважної плазми пульсівної негативної корони	153
28. Данилов А. Б. Щодо можливості визначення оптичних параметрів тонких плівок методом еліпсометрії та оцінка їх кореляції	160
29. Мокрий О. М. Вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла фотоакустичним методом (числове моделювання)	164
30. Петровська Г. А., Демкович І. В., Бобицький Я. В. Фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання дзеркальних покрить	170
31. Фітьо В. М., Петровська Г. А., Мисак В. В. Області застосування наближених методів аналізу дифракції на фазових гратках	178
32. Зміст до Вісника “Електроніка”	184

Content

1. Tytulnyi arkush do Visnyka "Elektronika"	1
2. Bolshakova I. A., Holyaka R. L., Yerashok V. E. Galvanomagnetic instrumentation for nuclear fusion reactors: basic approaches. Survey	3
3. Bolshakova I. A., Kost’ Ya. Ya., Lutsiv R. V., Makido O. Yu., A Moskovets’ T. Growth process peculiarities of InSb microcrystals alloyed by erbium	15
4. Dutchak Z., Rakobovchuk L. The features of transition of amorphous selenium in the crystalline state	21
5. Zayachuk D. M., Krukovsky S. I., Mrykhin I. O. Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method	24
6. Kovalyuk B. P., Nikiforov Yu. N. Control of surface layer imperfectness of silicon structure changing the phonon pressure caused by shock wave propagation in the crystal	28
7. Lopatynskii I. Ye., Rudyi I. O., Kurilo I. V., Virt I. S., Fruginskii M. S., Kempnyk V. I. Surface modification of laser ablated HgCdTe target	33
8. Shandra Z. A. The influence of the cathode current distribution in Penning’s cell on the sputtered films	42
9. Druzhinin A. O., Matviyenko S. M., Pankov Y. M. Development of information processing system for sensors bases on SOI structures	48
10. Yerokhov V. Yu. Macroporous structures in silicon solar energy converter	54
11. Ilchuk G. A., Kusnezh V. V., Ukrainets V. O., Ohremchuk E. V., Kuntyj O. I., Ukrainets N. A. Heterocontact Cds–protein on a basis of electrochemical synthesized cadmium sulfide films	60
12. Lopatinsky I. E., Pavlova G., Rakobovchuk L., Yavorsky B. The counting device on liquid crystals	65
13. Mikityuk Z. M., Fechan A. V., Gural V. V., Volynyuk D. Yu. The spatial-time light modulator on cholesteric-nematic transition effect	68
14. Savytskii D., Sugak D., Solskii I., Buryy O., Izhnin O., Vasylechko L., Zhegraj R., Kuharuk S., Shopa Ya. Two-beam polarization prism based on the lithium niobate crystal with twin boundary	74
15. Glushyk I. P., Stakhira P. Y., Aksimentyeva O. I., Mikityuk Z. M., Fechan A. V., Cherpak V. V. The optical spectra of polyaniline in the environments with different ph index	81
16. Khandozhko O. G., Slynko E. I. Instability of SnTe metal sublattice	85
17. Chornij Z. P., Kachan S. I., Pirko I. B., Salapak V. M. Electrically charged coloring centers relaxation in fluorite – type crystals. one-dimensional model	90
18. Tsmots’ V. M., Litovchenko P. G., Litovchenko O. P., Ostrovskii I. P., Pavlovskii Yu. V. Peculiarities of Si-Ge whisker magnetic susceptibility	99
19. Yakovyna V. S., Zhydachevskii Ya. A., Mikhailik V. B., Solskii I. M., Sugak D. Yu. Influence of external actions on calcium tungstate luminescent properties	105
20. Druzhinin A. A., Maryamova I. I., Pavlovskyy I. V., Khoverko Yu. M. Magnetoresistance oscillation in ge whiskers at cryogenic temperature	112
21. Malyk O. P., Kenyo G. V., Petrovych I. V. Electron scattering on the short-range potential in CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1) solid solution	117
22. Sobchuk I. S., Syrotyuk S. V. Calculation of density of states in silicon a method of pseudo green’s function	126
23. Syrotyuk S. V., Kraevsky S. N., Kynash Yu. E. The criteria of choice of coulomb potential well depth in silicon	129
24. Tovstyuk C. C. Classification of double permutations for electron – phonon interaction	133
25. Tyhanskyi M. V., Krysko R. R., Partyka A. I. Transition characteristics of josefson criotrons at nitrogen temperatures	138
26. Tsmots V. M., Litovchenko P. G., Litovchenko O. P., Novikov N. N., Pavlovskii Yu. V., Salan V. P., Patsai B. D. Influence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si	147
27. Chyhin V. I., Karpyak S. Yu. The model of unequilibrium plasma of the pulsating negative corona	153
28. Danylov A. B. On the possibility of thin film optical parameter determination by ellipsometry method and parameter correlation evaluation	160
29. Mokryy O. M. Thickness measurement thin film of a liquid on solid state surface by photoacoustical method (numerical modelling)	164
30. Petrovska H. A., Demkovytch I. V., Bobytski Y. V. The determination photothermal method of absorption coefficient of mirrors covering	170
31. Fitio V. M., Petrovska H. A., Myssak V. V. Application areas of the approximate methods for analysis of thin and volume phase gratings	178
32. Zmist do Visnyka "Elektronika"	184

Browse

Now showing 1 - 20 of 32

Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Матвієнко, С. М.; Панков, Ю. М.; Druzhinin, A. O.; Matviyenko, S. M.; Pankov, Y. M.; Національний університет “Львівська політехніка”
Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв та перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на основі цих систем над відомими сенсорами. Подано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації і передачею її на персональний комп’ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст з чотирьох полікремнійових п’єзорезисторів і одного терморезистора.
Вплив розподілу струму розряду по катоду комірки Пеннінга на рівномірність напилених плівок
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Шандра, З. А.; Shandra, Z. A.; Національний університет “Львівська політехніка”
Подано результати дослідження розподілу струму розряду по поверхні катода в комірці Пеннінга з прямокутним анодом. Виявлено, що при тиску газу близько 0,01 Па максимальна густина струму спостерігається в центрі катода. У разі збільшення тиску газу зростає густина струму на периферії катода. Розподіл струму по висоті катода можна апроксимувати функцією Jp(h) = n +(1-n) sin(πh/a), де а – розмір катода. Виконано моделювання впливу розподілу струму на рівномірність напилених плівок для різних тисків газу. Аналіз показує, що нерівномірність струму по катоду погіршує рівномірність плівок по товщині на краях підкладки.
Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”
Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Ковалюк, Богдан Павлович; Нікіфоров, Юрій Миколайович; Kovalyuk, B. P.; Nikiforov, Yu. N.; Тернопільський державний технічний університет ім. Івана Пулюя
Для діапазону температур 290 – 450 К розраховано відносні зміни фононної складової надлишкової сили, що діє на центр розсіяння в матеріалах з різною температурою Дебая з боку лазерної ударної хвилі. Виконані на кремнієвих структурах експерименти показують перспективність керування властивостями приповерхневих шарів твердих тіл при лазерній ударно-хвильовій обробці оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову сили, зумовленої ударною хвилею.
Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”
Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.
Особливості переходу аморфного селену в кристалічний стан
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дутчак, З. А.; Ракобовчук, Л. М.; Dutchak, Z.; Rakobovchuk, L.; Національний університет “Львівська політехніка”
Рентгенографічним методом досліджений аморфний селен. Встановлено, що в кристалічний стан він переходить при температурі 343 К. За допомогою аналізу кривих інтенсивності малокутової дифракції рентгенівського випромінювання та функції радіального розподілу атомів визначені параметри ближнього порядку: радіус координаційної сфери та координаційне число.
Області застосування наближених методів аналізу дифракції на фазових гратках
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Фітьо, В. М.; Петровська, Г. А.; Мисак, В. В.; Fitio, V. M.; Petrovska, H. A.; Myssak, V. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Методом зв’язаних хвиль розрахована дифракційна ефективність усіх порядків дифракції тонкої фазової ґратки з періодами, які дорівнюють 50,5, 75,5 і 100,5 довжин хвиль. Здійснено порівняння точного розрахунку з методом, що ґрунтується на розкладі періодичного амплітудного пропускання ґратки в ряд Фур’є. Визначено області застосування наближеного методу розрахунку дифракційної ефективності плоских ґраток. Для товстих фазових ґраток виконане порівняння дифракційної ефективності, розрахованої за формулою Когельника, з її точним значенням. Показано теоретично та експериментально, що формула Когельника дає похибку для високочастотних ґраток у разі відхилення від кута Брегга.
Зміст до Вісника “Електроніка”
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01)
Фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання дзеркальних покрить
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Петровська, Г. А.; Демкович, І. В.; Бобицький, Я. В.; Petrovska, H. A.; Demkovytch, I. V.; Bobytski, Y. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розроблено фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання інтерференційних покрить лазерних дзеркал. Метод базується на реєстрації фотостимульованих змін, які виникають у дзеркалі під дією потужного лазерного пучка з відомим просторово-часовим розподілом енергії випромінювання, зокрема, теплових полів на поверхні дзеркала. Для реєстрації цих полів використані методи лазерної інтерферометрії. Для визначення невідомого значення коефіцієнта поглинання за експериментально зареєстрованим розподілом температури на поверхні дзеркала розроблено математичну модель та відповідне програмне забезпечення.
Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка
Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
Вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла фотоакустичним методом (числове моделювання)
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Мокрий, О. М.; Mokryy, O. M.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянуто безконтактний фотоакустичний метод вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла. Здійснено числове моделювання збудження акустичних хвиль за допомогою лазерного імпульсу та поширення їх в шарі рідини. Отримана залежність часових характеристик акустичного поля від фізичних властивостей та товщини шару рідини. Показана можливість визначити товщину шару рідини за часом між двома акустичними імпульсами. Проаналізовано внесок різних чинників у точність визначення товщини шару рідини. Область товщин, для яких розглядалось застосування методу, становить 30–500 мкм.
Модель нерівноважної плазми пульсівної негативної корони
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Чигінь, В. І.; Карп’як, С. Ю.; Chyhin, V. I.; Karpyak, S. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”
Вперше змодельовано нерівноважну плазму пульсівної негативної корони в азоті із домішкою кисню. Показано, що параметри плазми пульсують як у просторі (0.003– 0.008 см від поверхні катода), так і в часі, синфазно із зміною струму при проходженні піку імпульсу. Температура електронів змінюється у діапазоні 9100–19000 К, а середня густина плазми – 7·1011 – 8·1012 см-3.
Щодо можливості визначення оптичних параметрів тонких плівок методом еліпсометрії та оцінка їх кореляції
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Данилов, А. Б.; Danylov, A. B.; Національний університет “Львівська політехніка”
Встановлено кореляцію між показником заломлення плівки, її товщиною та коефіцієнтом поглинання підкладки для структури “прозора плівка на поглинальній підкладці” для довжини хвилі 632,8 нм. Проаналізовано кути падіння для меж поділу середовищ повітря–плівка та плівка–підкладка, за яких спектри відбиття в рполяризації не залежать від товщини плівки. Запропоновано новий підхід до визначення показника заломлення плівки з еліпсометричних вимірювань трьох зразків з різною товщиною плівки.
Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Новиков, М. М.; Павловський, Ю. В.; Салань, В. П.; Пацай, Б. Д.; Tsmots, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Novikov, N. N.; Pavlovskii, Yu. V.; Salan, V. P.; Patsai, B. D.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Вивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.
Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.; Tyhanskyi, M. V.; Krysko, R. R.; Partyka, A. I.; Національний університет “Львівська політехніка”
Математично змодельовано і досліджено перехідні процеси в джозефсонівських кріотронах (ДК) під час керування їх логічним станом імпульсами струму при азотних температурах. Показано, що керування логічним станом кріотронів імпульсами струму, форму яких можна описати часовою функцією e-1t, є більш ефективним, ніж керування імпульсами струму гауссівської форми.
Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.; Syrotyuk, S. V.; Kraevsky, S. N.; Kynash, Yu. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Український державний лісотехнічний університет
Розраховані електронні енергетичні спектри кремнію за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціала атома у прямому просторі , яка враховує скінченність кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра β, який визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору значення β для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обґрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини.
Класифікація подвійних перестановок для електрон-фононної взаємодії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Товстюк, К. К.; Tovstyuk, C. C.; Національний університет “Львівська політехніка”
Виконана класифікація подвійних перестановок, які відображають ряд теорії збурення для електрон-фононної взаємодії. Для цього аналізують цикли електронної перестановки та іх зв’язок між собою за допомогою фононних перестановок. Встановлено залежність між типами зв’язку між електронними циклами та різними виразами для згортки у відповідних аналітичних виразах. Вказується і відповідність до діаграм Фейнмана.
Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.
Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Собчук, І. С.; Сиротюк, С. В.; Sobchuk, I. S.; Syrotyuk, S. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова. Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.
Осциляції магнітоопору ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Павловський, І. В.; Ховерко, Ю. М.; Druzhinin, A. A.; Maryamova, I. I.; Pavlovskyy, I. V.; Khoverko, Yu. M.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”
Виявлено та експериментально досліджено магнітофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнітоопору в сильно легованих ниткоподібних кристалах (НК) Ge n- і p-типу провідності в інтервалі температур 4,2–70 К в магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Досліджено вплив одновісної деформації та розігріву газу носіїв заряду на характер магнітофононних осциляцій магнітоопору. Розраховано ефективні маси електронів та легких дірок на основі експериментальних даних дослідження поперечного магнітоопору.

Browse

Recent Submissions