Електроніка. – 2005. – №532

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47491

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка” : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. – № 532 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 186 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Content


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Новиков, М. М.; Павловський, Ю. В.; Салань, В. П.; Пацай, Б. Д.; Tsmots, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Novikov, N. N.; Pavlovskii, Yu. V.; Salan, V. P.; Patsai, B. D.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Київський національний університет імені Тараса Шевченка
    Вивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.