Електроніка. – 2013. – №764

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23922

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2013. – № 764 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 160 с. : іл.

Browse

Author: search.filters.author.Герман, І. І.

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Герман, І. І.; Махній, В. П.; Черних, О. І.
    Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив ізовалентної домішки Са на властивості ІІ-VI сполук
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Сльотов, М. М.; Герман, І. І.; Сльотов, О. М.
    Досліджено вплив ізовалентної домішки кальцію на електричні та оптичні властивості шарів CdTe, ZnSe. Показано, що домішка Ca спричиняє інверсію електронної провідності та утворення фоточутливих p-n-переходів. Оптичні та люмінесцентні властивості свідчать про формування генераційно-рекомбінаційних процесів у крайовій області. The effect of Ca isovalent impurity on electrical and optical properties of CdTe, ZnSe layers is studied. It is shown that Ca impurity causes an inversion in electronic conductivity and formation of photosensitive p-n-junctions. Optical and luminescence properties show the presence of generation-recombination processes in near band range.