Computational Problems Of Electrical Engineering. – 2021. – Vol. 11, No. 1

Permanent URI for this collection

https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/58450

Науково-технічний журнал

Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка». Виходить двічі на рік з 2011 року.

Computational Problems of Electrical Engineering = Обчислювальні проблеми електротехніки : науково-технічний журнал / Lviv Politechnic National University ; editor-in-chief Yuriy Bobalo. – Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2021. – Volume 11, number 1. – 58 p.

Зміст


1
7
12
20
28
32
36
43
45
47

Content (Vol. 11, No 1)


1
7
12
20
28
32
36
43
45
47

Browse

Recent Submissions

Now showing 1 - 5 of 10
  • No Thumbnail Available
    Item
  • No Thumbnail Available
    Item
  • No Thumbnail Available
    Item
    Radial Component of Vortex Electric Field Force
    (Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Чабан, Василь; Tchaban, Vasyl; Lviv Polytechnic National University
    У статті одержані диференціальні рівняння руху електрично наладованих тіл у нерівномірному вихровому електричному полі у всіх можливих діапазонах швидкостей. У силовій взаємодії на додачу до двох компонентів – кулонівської і лоренцової сил – задіяно третій компонент досі невідомої сили. Цей компонент, як виявилося, відіграє вирішальну роль у динаміці руху. Рівняння записано у звичному 3D евклідовому просторі і фізичному часі. При цьому враховано скінченну швидкість поширення електричного поля і закон збереження електричного ладунку. На цій підставі просимульовано траєкторію руху електрона в нерівномірному електричному полі, зґенерованому позитивно наладованим сферичним тілом. Дано фізичну інтерпретацію одержаним математичним результатам, поданим у векторній і координатній формах. Приклади симуляції додано.
  • No Thumbnail Available
    Item
    Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions
    (Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Заячук, Дмитро; Слинько, Василь; Csík, Attila; Zayachuk, Dmytro; Slynko, Vasyl; Csík, Attila; Lviv Polytechnic National University; Institute for Problems of Material Science NASU, Chernivtsy Branch, Chernivtsy; Institute for Nuclear Research,(ATOMKI)
    Досліджено розпорошення кристалів PbTe, SnTe та GeTe іонами Ar+ низької енергії, визначено швидкість розпорошення vsp та її залежність від складу кристалічної матриці й енергії розпорошення. Встановлено, що за однакових умов швидкість розпорошення телуридів GeTeSnTe-PbTe зростає зі збільшенням їх середньої атомної маси. Виявлені зміни пояснено змінами поверхневої енергії зв’язку атомів металів у телуридах свинцю, олова та германію. Показано, що для всіх досліджуваних сполук швидкість розпорошення зростає також зі збільшенням енергії розпорошення. У діапазоні енергій від 160 до 550 еВ це збільшення майже лінійне. Розраховано коефіцієнти зміни швидкості розпорошення з енергією dvsp/dE. Визначено поверхневу густину іонно-індукованих структур та відносну площу покритої ними розпорошеної поверхні для природних бокових поверхонь кристала PbTe, вирощеного з розплаву методом Бриджмена, як функцію енергії розпорошення. Показано, що за постійного часу розпорошення обидва параметри експоненційно зменшуються зі збільшенням енергії розпорошення.
  • No Thumbnail Available
    Item
    The Spin-Polarized Electronic and Magnetic Properties of Zinc Selenide Heavy Doped with Chromium
    (Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Сиротюк, Степан; Syrotyuk, Stepan; Lviv Polytechnic National University
    На першому етапі методом оптимізації було визначено структуру кристала ZnSe, легованого атомами хрому (ZnCrSe). На другому етапі електронні властивості цього матеріалу були оцінені у межах двох підходів. Обміннокореляційні функціонали, введені в розрахунки, ґрунтуються на узагальненому градієнтному наближенні (GGA) та гібридному функціоналі PBE0. Підхід GGA забезпечує металевий стан для електронів зі спіном вгору, а для протилежної орієнтації спіна матеріал ZnCrSe є напівпровідником із шириною забороненої зони 2,48 еВ. Гібридний функціонал PBE0 також приводить до безщілинного стану для електронних станів зі спіном вгору, а для спінів униз значення ширини забороненої зони дорівнює 2,39 еВ. Магнітний момент елементарної комірки, знайдений з двома функціоналами, однаковий і дорівнює 4 mB (магнетони Бора). Отже, розрахунки з двома обмінно-кореляційними функціоналами передбачають напівметалеві властивості матеріалу ZnCrSe, що робить його цікавим кандидатом для застосувань у спінтроніці.