Computational Problems Of Electrical Engineering. – 2021. – Vol. 11, No. 1

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/58450

Науково-технічний журнал

Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка». Виходить двічі на рік з 2011 року.

Computational Problems of Electrical Engineering = Обчислювальні проблеми електротехніки : науково-технічний журнал / Lviv Politechnic National University ; editor-in-chief Yuriy Bobalo. – Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2021. – Volume 11, number 1. – 58 p.

Зміст


1
7
12
20
28
32
36
43
45
47

Content (Vol. 11, No 1)


1
7
12
20
28
32
36
43
45
47

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Ohmic contacts to n-type and p-type Gallium Antimonide Whiskers
    (Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Кутраков, Олексій; Лях-Кагуй, Наталія; Чемерис, Дмитро; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Kutrakov, Oleksiy; Liakh-Kaguy, Natalia; Chemerys, Dmytro; Lviv Polytechnic National University
    За допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4,2 К та 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення і одним із найпридатніших методів для створення контактів до ниткоподібних кристалів, вирощених методом газотранспортних реакцій.