Електроніка. – 2003. – №482
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30580
Browse
Item Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.Item Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.