Електроніка. – 2003. – №482
Permanent URI for this collection
Browse
Recent Submissions
Item Зміст до Вісника "Електроніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)Item Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)Item Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.Item Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.Item Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.Item Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.Item Електричні властивості структур напівпровідників-ферит(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Ющук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.Item Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодії(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Товстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.Розроблений математичний формалізм з використанням теорії перстановок у ряді теорій збурення багаточастинкових (міжелектронної у цій роботі) взаємодій. Для цього нами раніше пропонувалася подвійна перестановка (ПП), побудована так, щоби вона відображала закони збереження (енергії та квазіімпульсу) електронів у кожній віртуальній акті взаємодії. Ми також довели, що множина ПП утворює групу. Проаналізовано ПП і знаходимо критерії, за якими можна виділити нев’язні та скомпоновані ПП, що відповідають незв’язним та звідним діаграмам Фейнмана. Ввівши операцію транспозиції стовпчика знаходимо ПП, які у сумі дають однакові, протилежні зазнаками вирази. Виділяємо ПП з прямим об’єднанням пар, за допомогою яких записується ряд теорії збурення для ефективної взаємодії. We develop the mathematical formalism with using of permutation theory in perturbation series of many-particles (multi electron for this paper) interaction. For this purpose we created earlier a double permutation (DP), which is so constructed that it reflects the energy and momentum conservation in every virtual interaction. We also proved that set of DP form a group. Now we analyze the set of DP anf find out the criteria after which we can separate the unbounded and composite DP, which are similar to unbounded and reducible diagrams of Feynman. Introducing the operation of transition in the column, we find DP which give in sum equal expression with opposite signs. We choose the DP with direct associated pairs with wich we form the preturbation series for effective interaction.Item Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Тиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівських тунельних переходів(ДТП) та їх вольт-амперні характеристики для температур,відмінних від абсолютного нуля, які були апроксимовані простими аналітичними функціями,проведено математичне моделювання перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах (ДК).Досліджувались перехідні характеристики ДК та їх особливості при керуванні логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму ідеальної прямокутної форми. Проведено моделювання логічних переходів "0" → "1" та "1" → "0" . Показано,що джозефсонівські кріотрони можна використовувати як надшвидкодіючі елементи пам'яті з часом комутації 10 — 40 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи таких кріоелектронних структур. Mathematic modeling of transition processes in josephson cryotrons (JC) is carried out by using an equivalent scheme of josephson tunneling junctions and their I-V characteristic for the temperatures above 0 K,which are made approximate simple analytical functions. The transition characteristics of JC and their peculiarities when controlling the cryotron logical state by ideal rectangular-shaped outer current impulses are investigated. Modeling of logical transitions "0" → "1" and"1" → "0" is carried out. It is showb that JC can be used as extraquick memory cells with the commutation time 10 -40 ps.The influence of scheme parameters on stability of the functioning of such cryoelectronic structures is investigated.Item Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалах(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Сиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.Виведені розрахункові алгоритми матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії для кристалів зі складними елементарними комірками у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Порівняні методики введення потенціалу спін-орбітальної взаємодії у методі змішаного базису, порівняно з псевдопотенціальними наближенням.The algorithms of the spin-orbital interaction matrix have been derived for crystals with complex structure withim the mixed basis of one-particle states, including core Bloch states and plane waves. The comparison of methods of the spin-orbital interaction potential inclusion,derived within ab initio atomic pseudopotential approach and with mixed basis has benn made. The much consecutiveness of the mixed basis approach in spin-orbital interaction potential evaluation has been ststed as compared to pseudopotential apporoximItem Вплив товщини фазової голограми на її параметри(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Фітьо, В. М.На підставі рівнянь зв'язаних хвиль, що описують дифракцію світла на періодичних непоглинаючих структурах (фазових голограмах), знайдено умови, за яких її можна вважати тонкою. Голограма буде тонкою, поки дифракційна ефективність мінус першого порядку дифракції зростає із збільшенням товщини голограми при достатньо малій модуляції показника заломлення. Отримано умови, при яких голограму можливо описати двохвильовим наближенням. Ці умови грунтуються на залежності дифракційної ефективності в мінус перший порядок дифракції від товщини голограми і від змінної складової показника заломлення при виконанні умов Брегга між недифрагованим пучком і дифрагованим пучком у перший порядок. Чисельними розрахунками показано, що для проміжних голограм по товщині при нормальному падінні пучка на голограму можна отримати дифракційну ефективність, близьку до 50% для першого і мінус першого порядків дифракції. The conditions at which a structure can be considered as a thin one were obtained by coupled wave equations whitch describe light diffraction on periodical non-absorbing structures (phase holograms). Hologram will be thin as long as diffraction efficiency of the negative first order of diffraction increases with hologram thickness increase at sufficiently small modulation of refractions index. Conditions at whitch hologram can be described by double-wave approximation are obtained. These conditions are based on dependence of diffraction efficiency in the negative first order of diffraction on hologram thickness and on variable component of refractions index at satisfaction of Bragg law between the non-diffracted beam and the beam diffracted into the first order. Numerical calculation show that diffraction efficiency of 50% for the first and minus first orders of diffraction can be obtained for medium thickness holograms when the beam comes normally to the hologram.Item Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAG(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.Проаналізовані теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі плівки Cr4+:YAG. Визначено величину тепловиділення в абсорбері при генерації послідовності лазерних імпульсів. На основі числового розв'язку рівняння теплопровідності для різних значень енергії тепловиділення розраховано розподіл температури та проаналізовано вплив неоднорідного нагрівання на параметри модулятора. The heat processes in the Q-switching modulator based on the Cr4+:YAG film are considered. The heat-evolution in the absorber during the laser pulses generation is determined. The temperature distribution and the non-uniform heating influence on the modulator parameters are analyzed by means of the heat conductivity equation numerical solution.Item Фазовий перехід Pbnm - R-3c в La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Сенишин, А. Т.; Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.Методами високороздільної порошкової дифракції з використанням синхротронного випромінювання та ДТА/ДСК-аналізу досліджено структурні зміни при фазовому переході в кристалі La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3 при температурі 303 К. Зворотний фазовий перехід першого роду із гістерезисом 9 К проходить із зменшенням об'єму приведеної елементарної комірки (V=-0.06%). Структура низькотемпературної фази належить до структурного типу GdFeO3 (просторова група Pbnm, Z=4, a=5.52736 A, b=5.49163 A, c=7.76852 A), тоді як структура високотемпературної фази є ромбоедричною (просторова група R-3c, Z=6, a=5,5226, c=13,3757A). Проаналізовано структурні зміни, що відбуваються в точці фазового переходу в катіонній та аніонній підгратках кристала. Structural changes in La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3 at phase transition temperature 303 K were investigated by hight - resolution powder diffraction technique using synchrotron radiation and DTA/DSC analysis. The first jrder phase transition shows reversible behaviour with the hysteresis equal to 5-10 K and causes decreasing the reduced elementary cell (V=-0.06%). Low-temperature structure possesses CdFeO3 structural type (Pbnm spase group,Z=4, a=5.52736 A, b=5.49163 A, c=7.76852 A), whereas hight - temperature structure belongs to rhombohedral structure (R-3c, Z=6, a=5,5226, c=13,3757A). Structural changes in cation and anion sublattice have been analyzed at the phase transition point.Item Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Пелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.Item Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Городниченко, О. С.; Гнатюк, В. А.; Юр'єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.На підставі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індуктивних ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Обговорюються фізичні процеси генерації та наведено вирази для критерію виникнення, глибини утворення та амплітуди ударної хвилі. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур. On the basis of literature data and the exeperiments on irradiation of epitaxial CdxHg1-xTe layers the influence of laser-induced waves on the properties of semiconductors are analyzed with a view to identification of defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation/ The physical processes of the shock wave generation are discussed and the expression for a criterion and depth of the formation of a shock wave and for its amplutude are offered. It is pointed that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of performance parameters of semiconductor structures.Item Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Войцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.Item Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Семенюк, А. Й.Наведено результати розробки та виготовлення радіоканалу системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів. Описано функціональні схеми передавача та приймача і їх основні технічні характеристики. The results of design and production of the radio channel of TV-image transmission system for moving objects are presented in this paper. Also described block diagrams of transmitter and reciever and its main technical properties.Item FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюориту(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Качан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.Якщо кристали флюориту, що містять складні MA+ -центри забарвлення,оптичного знебарвити при 80 К,то структура новоутвореного точкового дефекта набуває конфігурації,вісь якої збігається з ‹111› кристалографічними напрямками кристала.При повторному опроміненні кристала, поряд з реакцією утворення VK-центрів, існує локалізація електронів на бівакансійних комплексах з утворення FD-центрів забарвлення. Концентрація новоутворених FD-центрів співвимірна за величиною з концентрацією FA-центрів,а оптичні параметри FD-центрів і FA-центрів практично збігаються. FD→МА+ - перетворення відбуваються при температурі реорієнтації TR домішково-вакансійних диполівт (TR=122 K в CаF2-Lі+ і TR=153 К в CаF2-Nа+). Ефективність виходу FD→МА+ -перетворень у 2-3 раза вища порівняно з ефективністю FA→МА+ -перетворень. If crystals of fluorite with the complicated MA+ -centers of colouring optically decolour at 80 К the structure of newly created point defect acquires a configuration, which axis coincides with ‹111› crystallographicdirections of the crystals. After repeated irradiation of crystals, alongside with the reaction of creation of FA and VK - centers, the localization of electrons on the bivacancial complexes with the the creation of FD - centers is proportional in size to the concentration of FA - centers, and optical parameters of FD and Fa - centers practically coincide. FD→МА+ transformations take place atthe temperature of reorientation of impurity-vacancion dipoles. The efficiency of the output of FD→МА+ transformations is higher in comparison with the efficiency of FA→МА+ transformation in 2-3 times.Item Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs(2003) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.Item Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.