Електроніка. – 2003. – №482
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30580
Browse
Search Results
Item Зміст до Вісника "Електроніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)Item Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)Item Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.Item Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.Item Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.Item Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.Item Електричні властивості структур напівпровідників-ферит(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Ющук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.Item Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодії(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Товстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.Розроблений математичний формалізм з використанням теорії перстановок у ряді теорій збурення багаточастинкових (міжелектронної у цій роботі) взаємодій. Для цього нами раніше пропонувалася подвійна перестановка (ПП), побудована так, щоби вона відображала закони збереження (енергії та квазіімпульсу) електронів у кожній віртуальній акті взаємодії. Ми також довели, що множина ПП утворює групу. Проаналізовано ПП і знаходимо критерії, за якими можна виділити нев’язні та скомпоновані ПП, що відповідають незв’язним та звідним діаграмам Фейнмана. Ввівши операцію транспозиції стовпчика знаходимо ПП, які у сумі дають однакові, протилежні зазнаками вирази. Виділяємо ПП з прямим об’єднанням пар, за допомогою яких записується ряд теорії збурення для ефективної взаємодії. We develop the mathematical formalism with using of permutation theory in perturbation series of many-particles (multi electron for this paper) interaction. For this purpose we created earlier a double permutation (DP), which is so constructed that it reflects the energy and momentum conservation in every virtual interaction. We also proved that set of DP form a group. Now we analyze the set of DP anf find out the criteria after which we can separate the unbounded and composite DP, which are similar to unbounded and reducible diagrams of Feynman. Introducing the operation of transition in the column, we find DP which give in sum equal expression with opposite signs. We choose the DP with direct associated pairs with wich we form the preturbation series for effective interaction.Item Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Тиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівських тунельних переходів(ДТП) та їх вольт-амперні характеристики для температур,відмінних від абсолютного нуля, які були апроксимовані простими аналітичними функціями,проведено математичне моделювання перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах (ДК).Досліджувались перехідні характеристики ДК та їх особливості при керуванні логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму ідеальної прямокутної форми. Проведено моделювання логічних переходів "0" → "1" та "1" → "0" . Показано,що джозефсонівські кріотрони можна використовувати як надшвидкодіючі елементи пам'яті з часом комутації 10 — 40 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи таких кріоелектронних структур. Mathematic modeling of transition processes in josephson cryotrons (JC) is carried out by using an equivalent scheme of josephson tunneling junctions and their I-V characteristic for the temperatures above 0 K,which are made approximate simple analytical functions. The transition characteristics of JC and their peculiarities when controlling the cryotron logical state by ideal rectangular-shaped outer current impulses are investigated. Modeling of logical transitions "0" → "1" and"1" → "0" is carried out. It is showb that JC can be used as extraquick memory cells with the commutation time 10 -40 ps.The influence of scheme parameters on stability of the functioning of such cryoelectronic structures is investigated.Item Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалах(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Сиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.Виведені розрахункові алгоритми матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії для кристалів зі складними елементарними комірками у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Порівняні методики введення потенціалу спін-орбітальної взаємодії у методі змішаного базису, порівняно з псевдопотенціальними наближенням.The algorithms of the spin-orbital interaction matrix have been derived for crystals with complex structure withim the mixed basis of one-particle states, including core Bloch states and plane waves. The comparison of methods of the spin-orbital interaction potential inclusion,derived within ab initio atomic pseudopotential approach and with mixed basis has benn made. The much consecutiveness of the mixed basis approach in spin-orbital interaction potential evaluation has been ststed as compared to pseudopotential apporoxim
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »