Електроніка. – 2003. – №482
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30580
Browse
Item Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.Досліджено деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) p-типу провідності в температурному діапазоні (4,2 ... 300 K). Досліджувався вплив деформації на термо-ЕРС та електропровідність НК. Встановлено залежність енергії активації домішок від деформації НК. Виявлено гігантські коефіцієнти п'єзо-Зеєбека та тензочутливості в НК Ge-Si поблизу переходу метал-діелектрик за гелієвої температури. Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки та температури. Обговорено поведінку коефіцієнта Зеєбека при деформації розтягу та стиску кристалів. Strain-inducted effects in p-type GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) solid solution whiskers in temperature range 4,2 ... 300 К were investigated. An influense of strain on thermo-e.m.f., conductance in the whiskers was studied. Dependency of impurity activation energy on strain was established. Giant piezo-Seebeck coeffitients and gauge factors in Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insuator transition at 4,2 K were found. Dependencies of gauge on temperature and impurity concentration in the whiskers were investigated. Seebeck coefitient behaviour at strain was discussed.Item П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Проведено дослідження п'єзорезистивного ефекту в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу в температурному діапазоні 1,7÷300 К. Досліджувався вплив деформації на питомий опір цих кристалів і енергію активації домішки.Виявлено гігантський п'єзоопір в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу поблизу фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах.Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки і температури. Обговорюється можливість використання гігантського п'єзооопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин.Piezoresistive properties of Si whiskers in 1.7÷300 K temperature range were investigated. The effect of strain on the resistivity and the impurity activation energy of these crystals were studied. The giant piezoresistance was observed in p-type silicon whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature was studied. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors is discussed.