Електроніка. – 2001. – №430

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42613

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковані результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 430 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 128 с. : іл.

Browse

Filters

20016

Settings

Subject: search.filters.subject.621.315.592

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розробка рентабельних процесів формування фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елементів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Єрохов, В. Ю.; Милянич, А. О.; Богдановський, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Наведені результати досліджень з вивчення рентабельних процесів створення структур кремнієвих сонячних елементів, хімічного росту макропористого крем¬нію для фронтальної антивідбиваючої поверхні фотоперетворювача. З’ясовується значення різних домішок у хімічних розчинах для росту поверхневої текстури. The paper presents the investigation results on profitable process of silicon solar cells formation, macro porous silicon chemical growing for frontal antireflective surface of photoconverter. The role of different additions in chemical solutions for surface texture growing was investigated.
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження процесів реактивної лазерної кристалізації та модифікації властивостей тонких шарів окисних люмінофорних матеріалів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.; Національний університет “Львівська політехніка”
    У роботі представлені теоретичні і експериментальні дослідження імпульсної лазерної (^=1,06 мкм) реактивної кристалізації і відпалу на прозорій підкладці Si02 попередньо осаджених аморфних фосфорних шарів Zn0:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn. На основі вибраної теплофізичної моделі розраховані криві розподілу температурних полів в системі Zn0-SiO2 після дії лазерного випромінювання (^=1,06 мкм) з різною густиною енергії як при прямій дії, так і з боку кварцової підкладки прозорої для лазерного випромінювання. Встановлено, що у останньому випадку енергія лазерного випромінювання поглинається в основному аморфною плівкою і температурні градієнти в ній практично відсутні, що дає змогу прово¬дити однофазну структурно однорідну кристалізацію. Всі кристалізовані лазером плівки володіли катодолюмінесценцією, яскравість та спектральний розподіл якої можна змінювати зміною густини енергії лазерного випромінювання і тиску кисню в реакційній камері. The results of the theoretical and experimental investigations of pulse laser reactive crystallization processes and annealing beforehand deposited amorphous films of phosphor materials are presented in the paper. The ZnO:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn ceramic tablets were used as targets for laser vapor deposition of amor¬phous films. At laser treatment from layer side surface overheating took place with definite temperature depth gradient. At laser treatment from substrate side, film mainly absorbs the laser radiation energy and temperature gradients in the layer are practically absent. All films crystallized by laser have cathodoluminescent properties. Laser annealing of thin layers leads to cathodoluminescense intensity increase but also to changes in radiation spectra with pulse duration.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.