Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45251

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковано результата науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів інституту телекомунікації, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка», науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів та провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелекгроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 80 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Content


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Browse

Search Results

Now showing 1 - 10 of 17
  • Thumbnail Image
    Item
    Ефекти поляризації у високотемпературних надпровідниках
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Добринецький, С. С.; Центр інженерних та науково-технічних послуг
    Показано, що для високотемпературних надпровідників характерний свій тип ізоепінової (зарядової) симетрії для іонів кисню з різною валентністю, аналогічною до ізоепінової симетрії для нейтрона і протона в ядерній фізиці. Існування такої симетрії приводить до виникнення поляризації поблизу переходу високотемпературного надпровідника в надпровідний стан. Поява поляризації в купратах призводить до зміни характеру коливань атомів ґратки і виникнення надпровідності.
  • Thumbnail Image
    Item
    Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”
    Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.
  • Thumbnail Image
    Item
    Просторова орієнтація і процес реорієнтації Ra+-центрів забарвлення в легованих кристалах CаF2
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Качан, С. І.; Чорній, З. П.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Кушнір, Т. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
    На основі комплексних досліджень фотоіндукованого дихроїзму встановлено структуру КА+-центрів забарвлення у формі трикутної піраміди, у вершині якої знаходиться домішковий Ме+-іон, а в основі - три вакансії в першій координаційній сфері, на яких локалізовані два електрони. Визначено енергетичні параметри процесів реоріснтації і дисоціації ВА+-центрів забарвлення в кристалах CaF2-Me+.
  • Thumbnail Image
    Item
    Застосування феритів в багатофункціональних сенсорах
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Ющук, С. І.; Юр’єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.; Варшава, С. С.; Національний унверситет “Львівська політехніка”
    Створено і досліджено багатофункціональні сенсори для вимірювання індукції магнітного поля, температури і потужності НВЧ-випромінювання. Застосування як чутливих елементів Mn-Zn- і Li-Tï- феритів разом з напівпровідниками дало змогу підвищити чутливість, розширити функціональні можливості сенсорів, а також діапазони вимірювань фізичних величин.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Гуменюк, І. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
  • Thumbnail Image
    Item
    Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.
  • Thumbnail Image
    Item
    До питання про кінетику ізотермічної деградації напівпровідникової терморезисторної кераміки Cu0.1Nio.8Co2 2Mn1.904
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Шпотюк, О. Й.; Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Пехньо, В. І.; Науково-виробниче підприємство “Карат”; Політехніка Варшавська; Институт загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН України
    Обговорюються результати дослідження термічної деградації терморезисторів на основі керамічних напівпровідникових композитів CuojNio.sCoo^Mni.ijO^ Встановлено, що аналітичним виразом кінетики цього процесу є релаксаційна функція ДеБаста - Джіларда або Уїльямса - Уотса. Отриманий результат підтверджує той факт, що в дисперсно-розпорядкованих системах ізотермічна деградація того чи іншого парам етра носить експоненціально-степеневий характер.
  • Thumbnail Image
    Item
    Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.
  • Thumbnail Image
    Item
    Зміст до Вісника “Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки”
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26)
  • Thumbnail Image
    Item
    Математична модель резистивної томографії приповерхневих неоднорідностей з використанням потенціального поля
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Чекурін, В. Ф.; Шуміліна, Н. В.; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. С. Підстригача НАН України
    Подано результати створення математичної моделі резистивної томографії приповерхневих неоднорідностей з використанням потенціального поля.