Електроніка. – 2011. – №708

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11491

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – № 708 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 204 с. : іл.

Browse

Now showing 1 - 20 of 30

Виготовлення товстоплівкового НВЧ-фільтра з використанням фотополімеризованої пасти
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Семенюк, А. Й.; Лоб, Я. Д.; Дячок, Д. Т.; Немеш, В. Г.
Досліджено технологію виготовлення та параметри провідникових елементів товстоплівкового НВЧ-фільтра на основі пасти серії 1785, виготовлених на підкладках ВК94-1 і ВК100-1. Виконано перевірку окремих електрофізичних параметрів провідникових елементів на відповідність вимогам технічних умов. Investigated the production technology and conductor elements operation factors thick microwave filter based on a paste series 1785, manufactured on substrates ВК94-1 and ВК100-1. Audited certain electrical and physical parameters of conductor elements for the compliance with the specification requirements.
Властивості органічного світлодіода на основі піразоліну, заміщеного в положенні 5 екранованим фенолом
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Готра, З. Ю.; Стахіра, П. Й.; Черпак, В. В; Волинюк, Д. Ю.; Хом’як, С. В.; Возняк, Л. Ю.; Сорокін, В. М.; Рибалочка, А. В.; Олійник, О. С.
Досліджені електролюмінісцентні властивості плівок 2,6-ди-трет.-бутил-4-(2,5- дифеніл-3,4-дигідро-2Н-піразол-3-іл)-фенолу в структурі органічного світлодіоду. Проведено моделювання положення енергій вищих заповнених (НОМО) та нижчих незаповнених (LUMO) молекулярних орбіталей HPhP, на основі чого запропонована і реалізована світловипромінююча структура ITO/СuI/HPhP/Ca:Al. Наведені вольт-амперна та вольт-яскравісна характеристики розробленої структури. Using 2,6-di-tert.-butyl-4-(2,5-diphenyl-3,4-dihydro-2H-pyrazol-3-yl)-phenol film as emitting layer in organic light emitting diodes (OLED) was proposed. Energies of highest occupied molecular orbital and lowest unoccupied molecular orbital was modeled and determined. Electroluminescent structure ITO/СuI/HPhP/Ca:Al was realized. Current–density–voltage and luminescent characteristics was measured.
Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.
Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.
Вплив термічної обробки пористого вуглецю на питомі енергоємнісні характеристики літієвих джерел живлення на його основі
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мандзюк, В. І.; Нагірна, Н. І.; Лісовський, Р. П.; Рачій, Б. І.; Соловко, Я. Т.; Мерена, Р. І.
Розглянуто вплив умов одержання пористого вуглецю на питомі розрядні характеристики (питома ємність та питома енергія) літієвих первинних джерел живлення, виготовлених на його основі. Встановлено, що значення питомої ємності електрохімічного елемента немонотонно залежить від температури одержання пористого вуглецю з її максимумом (1355 мА·год/г) при 750 °С. Основною причиною такої поведінки є відповідність величини питомої поверхні активного електродного матеріалу до температури його отримання.The effect of receipt conditions of porous carbon on specific discharge characteristics (specific capacity and specific energy) of the porous carbon-based lithium primary sources is considered. It is shown, that the value of specific capacity of the electrochemical element nonmonitonically depends on the temperature of obtaining of porous carbon with its maximum (1355 mA·h/g) at 750 °C. The principal reason of such the behaviour is the conformity of specific surface value of active electrode material to the temperature of its obtaining.
Динаміка термоіндукованих наноструктурних перетворень у халькогенідному склі
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Головчак, Р. Я.
Досліджено динаміку наноструктурних перетворень у зістарених халькогенідних стеклах систем As-Se та Ge-Se під час їх нагрівання зі швидкістю 5 К/хв від склоподібного стану до стану переохолодженої рідини. Отримані температурні залежності міжатомних віддалей (R) та фактора Дебая-Уоллера (s02), який пов’язаний з невпорядкованістю, показують значні відхилення від очікуваної лінійної поведінки для атомів Se усіх халькоген-збагачених зразків обох досліджуваних систем (окрім чистого склоподібного селену). До того ж для атомів As і Ge залежності R(T) та s0 2(T) мають лінійний характер за винятком As-збагачених стекол, де відхилення від лінійності спостерігається і для параметрів ближнього порядку атомів As. The in situ structural studies are performed to obtain the information on a real-time response of As-Se and Ge-Se network glasses at the nanoscale level of their atomic organization to the temperature ramp through the glass transition range. The results testify nonlinear, real-time temperature response of nearest neighbor distance (R) and Debye-Waller factor (s02) of Se atoms indicative of nanoscale dynamic heterogeneity in disordered systems with intermediate fragility, related to the inter-metabasin transitions within potential energy/enthalpy landscape. On the other hand, the short-range ordering parameters for As and Ge atoms exhibit a near linear temperature dependence except the As-rich samples, where comparable deviations are observed for both constituent chemical elements.
Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.
Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термо-динамічній моделі конденсованого стану.Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.
Дрібні комплекси магнітних домішок у діамагнітній матриці:магнітна сприйнятливість і температура Кюрі
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Заячук, Д. М.; Мишак, Р. М.
Проведено моделювання намагніченості і магнітної сприйнятливості (МС) дрібних комплексів магнітних домішок у діамагнітній кристалічній матриці – одиничних центрів, пар і триплетів магнітних домішок з феромагнітною і антиферомагнітною обмінною взаємодією – як функції індукції магнітного поля, температури і величини обмінних інтегралів. Підтверджено, що температурна залежність високотемпературної парамагнітної МС pm c як окремих комплексів, так їх сукупності добре описується законом Кюрі – Вейса pm /( p ) c = C T -q. Водночас показано, що на відміну від феромагнетиків чи антиферомагнетиків, температура Кюрі θр для домішок феромагнітних чи антиферомагнітних елементів у діамагнітній матриці не несе однозначної інформації про величину обмінних інтегралів, а в загальному випадку – навіть про тип обмінної взаємодії між магнітними домішками. Magnetization and magnetic susceptibility (MS) of the small complexes of magnetic impurities into the crystal diamagnetic matrix, namely single centers, pairs, and triplets of the magnetic impurities with ferromagnetic and antiferromagnetic exchange interaction as a function of magnetic field induction, temperature and magnitude of the exchange integrals is simulated. It is confirmed that the temperature dependence of high temperature paramagnetic MS pm c of both the different complexes and their aggregate can be properly described by the Curie – Weiss law pm /( p ) c = C T -q . At the same time it is shown that the Curie temperature for the impurities of ferromagnetic and antiferromagnetic elements as contrasted with ferromagnet and antiferromagnet does not give the unambiguous information about the magnitude of exchange integrals. Furthermore, in the general case it does not give even the certain information about the type of exchange interaction between the magnetic impurities.
Експериментальне дослідження струмового відгуку ферозондового перетворювача зі збудженням дискового осердя магнітним полем, що обертається в його площині
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.
Побудовано модель відгуку ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги на дію магнітного поля у площині осердя. Підтверджено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму в котушці збудження. Наводяться результати вимірювання залежності чутливості для різних частот збудження від його амплітуди, які добре узгоджуються з розрахунковими. The response model of the fluxgate with rotation magnetization reversal of isotropic disk core under harmonic voltage driving excitation has been developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was confirmed that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. Results of the experimental measurement of the fluxgate sensitivity dependences upon the excitation field amplitude at different frequencies are presented and they coincide well with calculated ones.
ЕПР І ЯКР у шаруватому кристалі GaSe:Gd
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Хандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Саміла, А. П.; Ковалюк, З. Д.
Досліджений вплив політипної структури GaSe на форму спектрів ЕПР домішки гадолінію у стані Gd3+. Показано, що під час концентрації домішки порядку 1018 см-3 у шаруватому кристалі існують, щонайменше, три типи парамагнітних центрів. Наявність нееквівалентних позицій іона Gd3+ пояснюється присутністю політипних модифікацій в GaSe. Виявлено, що введення парамагнітної домішки в кристал істотно уширює спектр ЯКР. The influence of the polytype structure of GaSe on the shape of the EPR spectra of gadolinium impurity in a state of Gd3+ were studied. Shown that when the impurity concentration of the order 1018sm-3 in a layered crystal, there are at least three types of paramagnetic centers. The presence of nonequivalent sites of Gd3+ is associated with the presence of polytypic modifications in GaSe. It was found that the introduction of paramagnetic impurities in the crystal is considerably broadened NQR spectra.
Зміна ширини забороненої зони у наноструктурі залежно від її конфігураційних особливостей
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Товстюк, К. К.; Прийма, Ю. В.; Дума, М. В.
Розраховується енергія основного стану електронів та дірок у структурі, утвореній квантовою ямою (ZnSe) та асиметричними бар’єрами (ZnBeMnSe та ZnBeSe) залежно від ширини немагнітного шару та висоти бар’єру (ZnBeMnSe), що змінюється у магнітному полі внаслідок гігантського ефекту Зеємана. Показано особливості та проаналізовано відмінності, що наявні у спектрах електронів та дірок. Обчислено зміну ширини забороненої зони залежно від ширини немагнітного шару та розщеплення Зеємана.The lowest energy level for electrons and holes is calculated in a structure formed by quantum pit (ZnSe) and asymmetric barriers (ZnBeMnSe and ZnBeSe). The dependence of this energy on the non magnetic barrier width is investigated. The effect on energy by semimagnetic barier energy, which changes in magnetic field due to giant Zeeman splitting. The differences in specеrums of electrons and holes are investigated and the features of spectrums of electrons and holes are pointed out. The energy gap, depending on the width of semi magnetic barrier and Zeeman splitting is investigated.
Моделювання процесів взаємодії випромінювання з середовищами з врахуванням поглинання та розсіяння
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Демкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Олешкевич, В. П.; Бобицький, Я. В.
Розроблено математичну модель та програмне забезпечення для моделювання процесів взаємодії випромінювання з середовищами з врахуванням їх гетерогенних властивостей та особливостей поглинання і розсіяння в окремих шарах. Розподіл інтенсивності випромінювання у разі поширення через розсіювальне середовище моделюється за методом Монте-Карло, для розрахунку температурних полів використано чисельний метод. На прикладі живої тканини, що містить доброякісну судинну патологію, проведено моделювання розподілу температури в шарах шкіри у разі дії на неї лазерного випромінювання з врахуванням реальних параметрів поглинання і розсіяння кожного шару. Mathematical model and software for the design of the interaction radiation with different media considering the features of the absorption and scattering is developed. Intensity distribution of the radiation at propagation through scattering media has been designed by the Monte Carlo method. The temperature fields are calculated by the numerical method. The model is tested on specimen of the living tissue. The design of propagation of the radiation in living tissue, containing of high quality vascular pathology is conducted. Heterogeneous properties and real parameters of absorption and scattering of every tissues layer are taken into account for modeling.
Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.
Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.
Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.
Новий метод оптимізації геометрії акустооптичної взаємодії в кристалічних матеріалах довільного класу симетрії
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бурий, О. А.; Винник, Д. М.; Кайдан, М. В; Андрущак, А. С.
Запропоновано новий метод, який дає змогу провести оптимізацію геометрії акустооптичної взаємодії в кристалічних матеріалах, які є робочими елементами приладів, що працюють у режимі брегівської дифракції. Метод ґрунтується на аналізі екстремальних поверхонь параметра акустооптичної якості M2, під час побудови яких для будь-якого напрямку падаючої світлової хвилі із всіх можливих напрямків звукової хвилі, що дозволені законом збереження імпульсу, вибирається такий, який відповідає максимальному значенню параметра M2. На прикладі кристалів LiNbO3 проведено відповідні розрахунки та побудовані екстремальні поверхні параметра M2 для ізотропної та анаізотропної дифракції світлової хвилі довжиною 633 нм на трьох можливих акустичних хвилях частотою 500 МГц. Для кожної поверхні знайдено їхні максимальні значення та відповідні кутові параметри взаємодіючих хвиль. Досліджено також екстремальні поверхні для цих кристалів у діапазоні частоти акустичної хвилі від 10 до 2000 МГц та довжини електромагнітної хвилі від 488 до 1064 нм. Показано, що для кристалів LiNbO3 і вказаних умов найбільше значення параметра акустооптичної якості дорівнює 18×10-15 c3/кг при частоті 800 МГц для випадку анізотропної дифракції на повільній квазіпоперечній акустичній хвилі.The new method for optimization of the acoustooptic interaction geometry is proposed for the crystalline materials used in devices functioning in Bragg diffraction regime. The method is based on the analysis of the the extremal surfaces. These surfaces are obtained by optimization procedure consisted in the determination of such an acoustic wave propagation direction that maximizing the acoustoptical figure of merit M2 for each direction of the incident electromagnetic wave. For example the extremal surfaces of M2 are built for LiNbO3 crystals for isotropic and anisotropic difractions of light (633 nm) on three possible acoustic waves with frequncy of 500 MHz. The maximal values of M2 and the corresponding angle parameters of the interacted waves are determined for all extremal surfaces. The extremal surfaces for these crystals are also investigated for acoustic wave frequnces from 10 to 2000 MHz and for electromagnetic wavelengths from 488 to 1064 nm. It is shown that the highest value of the acoustooptical figure of merit is equal to 18×10-15 c3/kg at the frequency of 800 MHz in the case of the anisotropic diffraction on the slow quasi-transversal acoustic wave.
Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Махній, В. П.; Мельник, В. В.; Сльотов, М. М.; Ткаченко, І. В.
На підкладинках селеніду цинку методом ізовалентного заміщення виготовлено шари Cd1-xZnxSe, склад яких визначається температурою відпалу і визначено умови синтезу шарів селеніду кадмію кубічної модифікації. Досліджено оптичні властивості отриманих шарів і встановлено механізми випромінювальної рекомбінації. Layers of Cd1–xZnxSe by isovalent substitution are produced on ZnSe substrates. Their composition is determined by annealing temperature. The conditions for synthesis of cadmium selenide layers of cubic modification are defined. The optical properties of the obtained layers and the mechanisms of emissivity recombination are investigated.
Параметри та моделі двокоординатного сканера магнітного поля на основі розщеплених холлівських структур
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Марусенкова, Т. А.
Наведено аналіз характеристик сканерів магнітного поля на основі лінійок розщеплених холлівських структур. На відміну від традиційних лінійних сканерів магнітного поля, конструкція лінійок розщеплених холлівських структур дає змогу істотно підвищити роздільну здатність двокоординатного вимірювання просторового розподілу магнітного поля. Однак, відсутність симетрії потенціальних виводів у таких структурах потребує використання нових підходів у побудові схем формування сигналів і детальнішого аналізу залежності їхніх вихідних напруг від вектора індукції магнітного поля. Запропоновано параметричну модель сенсорів магнітного поля на основі лінійок розщеплених холлівських структур, спосіб їх калібрування та основні підходи в побудові просторових структурних моделей засобами FEMLAB та MATLAB.The work gives an analysis of the characteristics of magnetic field scanners on the splitted Hall structures. In contrast to ordinary line magnetic field scanners, the structure of lines of splitted Hall structures gives an opportunity to improve significantly the spatial resolution of two-coordinate measurements of the magnetic-field vector’s spatial distribution. However, the absence of potential electrodes symmetry in such structures require new approaches to design of wave-shaping circuits and further analysis of the dependence of their output voltages on the magnetic field vector. A parametric model of magnetic field sensors based on lines of splitted Hall structures, a method of their calibration and main approaches to building spatial structural models by means of FEMLAB and MATLAB are proposed.
Передавання інформації у волоконно-оптичних системах із використанням сучасних методів формування та оброблення сигналів
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Горбатий, І. В.
Запропоновано адаптивний метод передавання інформації у волоконно-оптичній системі передавання інформації (ВОСПІ) з використанням різновидів модуляції (бінарної фазової маніпуляції – БФМн, квадратурної фазової маніпуляції – КФМн та квадратурної амплітудної модуляції – КАМ) ортогонально-поляризованих складових оптичної хвилі та структурні схеми передавального й приймального пристроїв ВОСПІ. Adaptive method of the transmission of information in the fiber optic telecommunication system (FOTS) with the use of varieties of modulation (binary phase manipulation – BPSK, quadrature phase manipulation – QPSK and quadrature amplitude modulation – QАМ) of orthogonal-polarize components of optical wave and flow diagrams of transmitting and receiving devices of FOTS ware offered.
Переналаштовуваний надвисокочастотний генератор з резонатором на плівці залізо-ітрієвого граната
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ющук, С. І.; Юр’єв, С. О.; Коломієць, В. Й.; Костюк, П. С.
Розглянута можливість створення переналаштовуваного надвисокочастотного генератора з резонатором на плівці залізо-ітрієвого граната, побудованого за схемою підсилювача, охопленого додатним зворотним зв’язком. Описано принципову схему і конструкцію генератора, наведені його технічні характеристики. Consider establishing reconfigurable microwave generator with resonator based on yttriumiron garnet film, built in amplifier circuit covered by positive feedback. Schematic circuit design and constructions of the generator are described, given its technical characteristics.
Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки “І”
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.
Розглянуто можливість реалізації елементів цифрової логіки “І” на базі джозефсонівських тунельних переходів і показано, що такі елементи можна створити і ефективно керувати їх логічним станом за допомогою зовнішніх сигналів електричного струму. Створено математичну модель перехідних процесів, що відбуваються в елементах логіки “І” під час зміни їх логічного стану, проведено математичне моделювання логічних переходів “0”®”1” та “1”®”0”, розраховано перехідні характеристики і визначено параметри моделі, за яких забезпечена висока швидкодія та стабільний режим роботи. In this work, we consider a possibility of the realization of the digital logic’s elements “and” on a basis of Josephson tunneling junctions. It was shown that such elements can be created and their logical state can be effectively controlled by means of external electrical current pulses. A mathematical model of the transition processes that take place in the logical elements “and” during the change of their logical state was developed. We carried out a mathematical modeling of the logical transitions “0”®”1” and “1”®”0” as well as calculated the transition characteristics and determined the model parameters that ensure the high operational speed and stability.