Електроніка. – 2011. – №708

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11491

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – № 708 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 204 с. : іл.

Browse

Author: search.filters.author.Сугак, Д. Ю.Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Узгодження акустооптичної НВЧ комірки Брегга у широкій смузі робочих частот
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Винник, Д. М.; Сугак, Д. Ю.; Генега, Н. Я.; Гайдучок, В. Г.; Юркевич, О. В.; Андрущак, А. С.
    Розглянуто питання широкосмугового узгодження опору надвисокочастотної (НВЧ) акустооптичної комірки Брегга, яка має центральну робочу частоту f0 = 800 МГц, з опором генератора НВЧ сигналів. Застосований в роботі метод ґрунтується на розрахунку фільтрів з використанням ланцюжків узгодження прототипів нижніх частот. На прикладі комірки, побудованої на основі кристала ніобату літію з використанням зустрічно-штирових п’єзоперетворювачів для збудження об’ємної акустичної хвилі, показано, що за допомогою структури узгодження, розрахованої цим методом, можна досягти задовільного коефіцієнта стоячої хвилі за напругою, який не перевищує значення 3 у робочій смузі частот Δf = 0,6 f0.The impedances matching of the VHF generator and the VHF Bragg acousto-optic cell in the wide frequency range input and central frequency of 800 MHz has been discussed. The method exploited is based on the filter calculation using low-frequency circuit prototypes. It is shown that using lithium niobate and interdigital piezotransduсers for bulk acoustic wave excitation the suggested approach allows to reach the standing wave coefficient which does not exceed 3 for the working bandwidth of Δf = 0,6 f0.
  • Thumbnail Image
    Item
    Порівняльний аналіз та оптимізація параметрів мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.
    Розроблено процедуру оптимізації мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи. Проведено оптимізацію параметрів лазерів на основі GGG:Nd, YAP:Nd, YVO4:Nd, а також, з метою порівняння, YAG:Nd з різними довжинами хвиль генерації. Показано, що оптимальна концентрація активатора мікрочіпового лазера, що працює за чотирирівневою схемою лазерної генерації, визначається лише характером концентраційної залежності часу життя верхнього лазерного рівня. Отримано співвідношення, яке дозволяє визначити оптимальну товщину активного середовища мікрочіпового лазера. Показано, що під час забезпечення оптимальних значень параметрів лазера, диференціальний ККД та потужність випромінювання, які можуть бути досягнуті при заданій інтенсивності накачування, визначаються,переважно, величиною стоксівських втрат матеріалу. The method for optimization of the cw microchip lasers is proposed. The optimization is carried out for GGG:Nd–, YAP:Nd–, YVO4:Nd–lasers and, for comparison, for YAG:Nd–laser with different wavelengths. It is found that the optimal activator concentration for the fourth-level laser is determined only by the concentration dependence of the upper laser level lifetime. The dependence for determination of the optimal width of the active medium is obtained. It is shown that at optimal values of the laser parameters and at fixed value of the pumping beam intensity the slope efficiency and the laser power are essentially determined by Stokes losses of the material.
  • Thumbnail Image
    Item
    Термолюмінесцентні властивості нанокристалічних порошків YaG та YaG:Nd в діапазоні температур 300–700 К
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Жидачевський, Я. А.; Сугак, Д. Ю.; Сиворотка, І. І.; Борщишин, І. Д.; Лучечко, А. П.
    Робота присвячена експериментальному дослідженню термолюмінесцентних (ТЛ) властивостей нанокристалічних та полікристалічних зразків YAG в діапазоні температур 300–700 К. Досліджувались нанорозмірні порошки YAG, одержані методом золь-гель, як номінально бездомішкові, так і леговані іонами неодиму, а також полікристалічні зразки YAG, леговані марганцем, одержані плавленням в інертній атмосфері. Робота містить аналіз процесів захоплення та рекомбінації носіїв заряду за участі власних точкових дефектів структури та домішкових іонів. The work is devoted to experimental study of thermoluminescent (TL) properties of nanocrystalline and polycrystalline YAG samples in the 300–700 K temperature range. In particular, nominally pure and neodymium-doped YAG nanopowders obtained by sol-gel method as well as manganese-doped polycrystalline YAG obtained by melting technique have been studied. The work contains analysis of the trapping and recombination processes with participation of intrinsic point defects and dopant ions.