Електроніка. – 2011. – №708

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11491

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – № 708 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 204 с. : іл.

Browse

Author: search.filters.author.Убізський, С. Б.Subject: search.filters.subject.gadolinium-gallium garnet

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Порівняльний аналіз та оптимізація параметрів мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.
    Розроблено процедуру оптимізації мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи. Проведено оптимізацію параметрів лазерів на основі GGG:Nd, YAP:Nd, YVO4:Nd, а також, з метою порівняння, YAG:Nd з різними довжинами хвиль генерації. Показано, що оптимальна концентрація активатора мікрочіпового лазера, що працює за чотирирівневою схемою лазерної генерації, визначається лише характером концентраційної залежності часу життя верхнього лазерного рівня. Отримано співвідношення, яке дозволяє визначити оптимальну товщину активного середовища мікрочіпового лазера. Показано, що під час забезпечення оптимальних значень параметрів лазера, диференціальний ККД та потужність випромінювання, які можуть бути досягнуті при заданій інтенсивності накачування, визначаються,переважно, величиною стоксівських втрат матеріалу. The method for optimization of the cw microchip lasers is proposed. The optimization is carried out for GGG:Nd–, YAP:Nd–, YVO4:Nd–lasers and, for comparison, for YAG:Nd–laser with different wavelengths. It is found that the optimal activator concentration for the fourth-level laser is determined only by the concentration dependence of the upper laser level lifetime. The dependence for determination of the optimal width of the active medium is obtained. It is shown that at optimal values of the laser parameters and at fixed value of the pumping beam intensity the slope efficiency and the laser power are essentially determined by Stokes losses of the material.