Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2006. – №569
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30152
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 177 с. : іл.
Browse
Search Results
Item Пам'яті Любомира Михайловича Смеркла(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006)Item Ненапружені конфігурації доменних структур сегнетоеластичних фаз твердотільного іонного електроліту La0,95Sr0,05Ga0,9Mg0,1O2,925(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Савицький, Д. І.; Татарин, Т. Р.Можливі ненапружені конфігурації доменних структур, що складаються з чотирьох орієнтаційних станів, знайдені з умови рівності одиничній матриці добутку відповідних матриць зв’язку, що характеризують просторовий взаємозв’язок між орієнтаційними станами тригональної, орторомбічної та моноклінної сегнетоеластичних фаз сполуки La0,95Sr0,05Ga0,9Mg0,1O2,925. Показано, що в цих кристалах в усіх досліджуваних сегнетоеластичних фазах неможлива реалізація ненапруженого співіснування трьох чи п’яти орієнтаційних станів. Possible unstrained domain configurations in solid state ionic electrolyte La0,95Sr0,05Ga0,9Mg0,1O2,925 were investigated using condition of equality of unit matrix to product of connection matrixes, which defined space relationship between orientaional states. Using connection matrixes for all domain pairs in trigonal, orthorhombic and monoclinic phases of La0,95Sr0,05Ga0,9Mg0,1O2,925 it was found all unstrained configuration of domain structure which consist of four orientation states. It was shown that domain configurations which consist of three and five orientation states are strained.Item Нерівноважні методи оброблення матеріалів з викоритстанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бончик, О. Ю.; Власов, А. П.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Савицький, Г.В.Запропоновані і апробовані методи лазерного оброблення матеріалів, які дають змогу формувати різкі p-n переходи на основі власнодефектних та легованих напівпровідників. Проведено порівняльний аналіз ефективності методів лазерного рідкофазного та твердофазного легування напівпровідників домішками, нанесеними на поверхню матеріалів. Показано, що найбільший ефект для цілей оптимізації лазерного оброблення напівпровідників досягається під час комбінованої дії на напівпровідник випромінювання від двох лазерів, які працюють в різних спектральних, енергетичних і часових режимах. Досліджено особливості автолегування епітаксійних шарів домішкою, джерелом якої слугувала імплантована заданою дозою іонів поверхня підкладки. Methods of laser treatment of materials were suggested and approbated. Comparative analysis of laser liquid phase and solid phase doping methods effectiveness with the help of admixtures on the surface of the materials was carried out. It is shown that the biggest effect for optimization of laser treatment of semiconductors is reached during multiaction of the radiation of two laser which work in different spectral, power and time regimes. The peculiarities of autodoping of epitaxial layers by admixture were examined. The source of admixture was the surface of the underlayer where the set quantity of ions was implanted.Item Одновимірна модель процесу утворення центрів забарвлення в легованих кристалах CaF2(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Качан, С. І.; Савчук, В. К.; Лесюк, Р. І.Проведені розрахунки конфігурації потенціальної ями для електрона та дірки в електростатичному полі, створеному моно- та бідиполями, які введені в іонний ланцюг. Розраховано величину ефективності генерації центрів забарвлення та їх релаксації для двох випадків розміщення дипольних комплексів: дипольні моменти сусідніх комплексів паралельні та антипаралельні. Досліджено залежність ефективності генерації центрів забарвлення залежно від віддалі між сусідніми дипольними комплексами. Calculations of configuration of potential pit for the electron and the hole in thе eelectrostatic field created by mono- and bidepoles, which were brought into the ionic chain, are carried out. The size of efficiency of colouring centres creation and their relaxation for two cases of depole complexes location: depole moments of neighbouring complexes are parallel and antiparallel, is calculated. Dependence of efficiency of colouring centres generation on the distance among the neighbouring depole complexes is investigated.Item Хімічні технології отримання пористого кремнію для сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Єрохов, В. Ю.Показана перспективність хімічних технологій отримання пористого кремнію (por-Si) для створення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Використання текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, із застосуванням використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Хімічне (фарбувальне) травлення є потенційно перспективним технологічним напрямом створення пористих структур і може замінити електрохімічне травлення на певних етапах технології виготовлення електронних пристроїв та приладів для оптоелектронного використання з por-Si. Показані принципи створення базових розчинів, особливості ініціалізації процесу травлення кремнієвих підкладок різної провідності для СЕ. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertors (SEC) was shown. Textures utilization as effective and profitable macro porous silicon (MPS) -based coatings with using of acid technology’s must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. Acid etching is potentially perspective technological route for design of porous structure. It may be replace by electrochemical etching at the some stage of production technology of electron devices for photovoltaic and optical electron application with por-Si. The principles of design of base solutions and features of initialization of etching process of silicon substrates of different conductivity for CE are shown.Item Технологія виготовлення прецизійних діафрагм хвилевідних НВЧ-пристроїв міліметрового діапазону(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.Сучасні селективні пристрої, які використовують в мікроелектронних приладах НВЧ-діапазону, вимагають високої точності та малих втрат. У роботі наведено результати розроблення технології виготовлення прецизійних діафрагм на основі міді, яку можна використати для виготовлення мікроелектронних НВЧ-пристроїв. Modern selective devices, that are widely used in microelectronic equipment of UHF range, require high accuracy and low losses. The results of elaboration of manufacturing technology for precise diaphragms based on copper, which can be used for production of UHF devices, are considered at this paper.Item Мікроелектронна міра напруги та електрорушійної сили(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Барило, Г.; Готра, О.; Бойко, О.; Кучмій, Г.Описано структурну схему мікроелектронної міри та особливості її побудови. The structural scheme of microelectronic calibrator and it’s designing specialties are described in this paper.Item Властивості структур з розривами атомних, міжмолекулярних та внутрішньомолекулярних зв'язків(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Пеленський, Р. А.Розроблено математичні моделі електромагнітних процесів, що виникають внаслідок розриву структури однорідного середовища. Проаналізовано енергоінформаційні властивості структур з розривами зв’язків. The mathematical models of elektromagnetics transient processes caused by homogeneous media breaking are developed. The energetic informational properties of the structure with breakes of couplings have been studied.Item Dynamic temperature states in thick – film microelectronics elements(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Błąd, G.; Kalita, W.; Klepacki, D.; Różak, F.; Węglarski, M.Описано теоретичний аналіз (порівняний з екмпериментальними дослідженнями) динамічних температурних станів багатошарових мікросхем (виготовлених за технологіями низько- і високотемпературної кераміки). Температура має важливе значення в безвідмовній роботі електронних пристроїв (для прикладу, в газових сенсорах, виготовлених за товстоплівковою технологією, температура визначає основні параметри, такі як чутливість і селективність) і значно підвищує ризик появи дефектів у структурах. Наведено базові моделі та процедуру розв’язання системи рівнянь. Розв'язок для типової товстоплівкової структури порівнювали з експериментальними даними. Розглянуто багато факторів, які впливають на точність отриманих результатів. The theoretical analysis (compared with experimental investigations) of dynamic temperature states in layer microcircuits (made in LTCC or HTC technology) has been described in the paper. Temperature plays a very important role in proper operation of microelectronic devices (for example in gas sensors – made in thick-film technology – it determines the basic parameters like sensitivity and selectivity) and significantly increases the risk of various defects. The basic models and solution procedures of analytical equations system have been presented. The solution for the typical thick-film structure (active layer placed on alumina substrate) has been compared with the experimental results. The many factors which have influence on accuracy of obtained results have been taken into consideration and discussed. The results of analysis can be used in researches with reliability and tolerance aspect of microsystems (intensity of degradation processes) as well as in determination of thermal properties of the designed systems.Item CANCAN-program for determination of configuration parameters of CAN- bus controlle(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Kamuda, K.; Kalita, W.; Kołodziejski, J.Досліджено методи розроблення, які забезпечують правильну конфігурацію CAN-шини. Результати досліджень підтверджують можливість розрахунку параметрів, які необхідні для вибору правильної конфігурації CANконтролера. Розроблена CANCANпрограма дає змогу розраховувати матриці R, L, C, G параметрів, що необхідно під час розрахунку часу проходження сигналу і падіння напруги в лініях. Програма дає змогу перевіряти коректність прийнятих припущень і повідомляє про області, де необхідно здійснити модифікацію, зокрема в критичних випадках. The researches for elaboration of the method allowed to correct configuration of CAN-bus have been presented in the paper. The results of investigations have proofed the possibilities of parameter’s calculation, required to choose relevant CAN controller configuration during the design. Elaborated CANCAN-program allow to calculate matrices R, L, C, G parameters, used at next step for time of the signal propagation and voltage drops in the lines, etc. in relation to wire types and their configuration. It allows checking the correctness of applied assumptions and indicates the modification areas, especially in critical cases of application.