Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2006. – №569

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30152

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 177 с. : іл.

Browse

Filters

20062

Settings

Author: search.filters.author.Бончик, О. Ю.

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Нерівноважні методи оброблення матеріалів з викоритстанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бончик, О. Ю.; Власов, А. П.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Савицький, Г.В.
    Запропоновані і апробовані методи лазерного оброблення матеріалів, які дають змогу формувати різкі p-n переходи на основі власнодефектних та легованих напівпровідників. Проведено порівняльний аналіз ефективності методів лазерного рідкофазного та твердофазного легування напівпровідників домішками, нанесеними на поверхню матеріалів. Показано, що найбільший ефект для цілей оптимізації лазерного оброблення напівпровідників досягається під час комбінованої дії на напівпровідник випромінювання від двох лазерів, які працюють в різних спектральних, енергетичних і часових режимах. Досліджено особливості автолегування епітаксійних шарів домішкою, джерелом якої слугувала імплантована заданою дозою іонів поверхня підкладки. Methods of laser treatment of materials were suggested and approbated. Comparative analysis of laser liquid phase and solid phase doping methods effectiveness with the help of admixtures on the surface of the materials was carried out. It is shown that the biggest effect for optimization of laser treatment of semiconductors is reached during multiaction of the radiation of two laser which work in different spectral, power and time regimes. The peculiarities of autodoping of epitaxial layers by admixture were examined. The source of admixture was the surface of the underlayer where the set quantity of ions was implanted.
  • Thumbnail Image
    Item
    Нестійкості формування поверхні розділу фаз у зонах дії імпульсного лазерного випромінювання на напівпровідники
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Дацко, Б. К.; Кияк, С. Г.; Мелешко, В. В.; Могиляк, І. А.
    Встановлено, що в електронно-дірковій плазмі, індукованій у напівпровідниках дією імпульсного лазерного випромінювання, відбувається розшарування температури кристалічної решітки і концентрації носіїв заряду. Крім того, існує додатний зворотний зв’язок між температурою кристалічної решітки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації. Вказаний зв’язок зумовлює як підсилення флуктуацій температури, так і призводить до формування у напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні в зонах дії лазерного випромінювання. Запропоновані математичні моделі динаміки формування поверхні, коли флуктуації фронту проплавів виникають уздовж вибраного вектора хвилі. Результати комп’ютерного моделювання динаміки формування поверхні проплаву на основі цієї математичної моделі добре узгоджуються з експериментальними даними і вказують на фрактальний характер формування поверхні проплаву. We determined that spontaneous segregation of uniform temperature state of crystal lattice and charge carrier concentration can take place in electron-hole plasma, generated by laser radiation. Besides, there exists a positive opposite connection between the temperature of crystal lattice and charge carrier concentration in the region of their fluctuation. It causes both amplification of original fluctuation of temperature and generation of quasi-periodic temperature fields of large amplitude in semiconductors. The nonuniform temperature fields determine the features of the surface relief formation in the zone of laser radiation action. The mathematical model of the surface profiles dynamics, when the instability of the front of melt arises along a chosen wave vector, is proposed. The results of computer simulation of interface dynamics of solitary melted region on the base this mathematical model good fits experimental data and indicate the fractal character of their formation.