Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Author: search.filters.author.Dubykivskyi, L.

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    On nucleation and growth mechanisms of EBPVD zirconia films on porous NiO-ZrO2 substrate
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Vasylyev, O.; Brychevskyi, M.; Brodnikovskyi, I.; Dubykivskyi, L.; Andrzejczuk, M.; Spychalski, M.; Lewandowska, M.; Kurzydłowski, K.; Steinberger-Wilckens, R.; Mertens, J.; Malzbender, J.
    Thin structure of the anode-electrolyte interface (AEI) was studied, and plausible nucleation and growth mechanisms at electron-beam physical vapor deposition (EB-PVD) were established. ZrO2 condensates with two mechanisms – planar and cellular ones like it happens at solidification from liquid phase. ZrO2 condensation on ZrO2 and NiO phases occurs with two different routes. On ZrO2 phase, layer of planar growth is formed with "defective layer by defective layer" mechanism. On NiO, the layer is cellular from the very beginning of the deposition process. The layer of planar growth is formed as "dense layer by dense layer". Deposition affected zone (DAZ) is clearly distinguished.