Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Filters

20122

Settings

Author: search.filters.author.Godlewski, M.Subject: search.filters.subject.diluted magnetic semiconductors

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Homogenous and heterogeneous magnetism in (Zn,Co)O
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Sawicki, M.; Lukasiewicz, M. I.; Proselkov, O.; Kowalik, I. A.; Dluzewski, P.; Paszkowicz, W.; Jakiela, R.; Witkowski, B. S.; Wachnicki, L.; Stefanowicz, W.; Sztenkiel, D.; Godlewski, M.; Dietl, T.; Guziewicz, E.
    For more than a decade ZnO doped with Mn and Co has remained as one of the most prospected diluted magnetic semiconductor for spintronic applications with conflicting outcome concerning the genuineness of its room temperature ferromagnetism. In order to clarify this issue we investigate (Zn,Co)O layers grown by atomic layer deposition at low temperatures. We employ and relay on wide range of extensive material characterization, which in combination with superconducting quantum interference device magnetometry allow us decisively exemplify the growth temperature as the key factor discriminating between paramagnetic (obtained at 160 oC) and various forms of ferromagnetic responses, seen when the grows is carried out at 200 oC and above.
  • Thumbnail Image
    Item
    Homogenous and heterogeneous magnetism in (Zn,Co)O
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Sawicki, M.; Guziewicz, E.; Lukasiewicz, M. I.; Proselkov, O.; Kowalik, I. A.; Dluzewski, P.; Paszkowicz, W.; Jakiela, R.; Witkowski, B. S.; Wachnicki, L.; Stefanowicz, W.; Sztenkiel, D.; Godlewski, M.; Dietl, T.
    For more than a decade ZnO doped with Mn and Co has remained as one of the most prospected diluted magnetic semiconductor for spintronic applications with conflicting outcome concerning the genuineness of its room temperature ferromagnetism. In order to clarify this issue we investigate (Zn,Co)O layers grown by atomic layer deposition at low temperatures. We employ and relay on wide range of extensive material characterization, which in combination with superconducting quantum interference device magnetometry allow us decisively exemplify the growth temperature as the key factor discriminating between paramagnetic (obtained at 160 oC) and various forms of ferromagnetic responses, seen when the grows is carried out at 200 oC and above.