Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Author: search.filters.author.Teslyuk, I. M.

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Pulse X-Ray conductivity of MDM and MDSCM structures on basis of lithium borates
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Adamiv, V. T.; Burak, Ya. V.; Say, I. S.; Teslyuk, I. M.; Turko, B.; Panasyuk, M. R.
    The results of investigations of pulse X-ray conductivity for metal-dielectric-metal and metal-dielectricsemiconductor-metal structures, where thin plates of Li2B4O7 or Li6GdB3O9 single crystals, and Li2B4O7 glasses used as dielectrics, have been presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Current-voltage characteristics of MDM and MDSCM structures on basis of lithium borates
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Adamiv, V. T.; Burak, Ya. V.; Say, I. S.; Teslyuk, I. M.; Turko, B. S.; Panasyuk, M. R.
    The results of investigations of current-voltage characteristics for metal dielectric-metal and metaldielectric-semiconductor-metal structures, where crystalline and glass lithium borates used as dielectrics, are presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Synthesis and optical spectroscopy of borate glasses, doped with terbium and dysprosium
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Padlyak, B. V.; Pieprzyk, B.; Drzewiecki, A.; Adamiv, V. T.; Burak, Ya. V.; Teslyuk, I. M.
    The high optical quality glasses with CaB4O7:Tb, LiCaBO3:Tb, CaB4O7:Dy, and LiCaBO3:Dy compositions containing 0.5 and 1.0 mol. % Tb2O3 and Dy2O3 have been obtained. By electron paramagnetic resonance (EPR) and optical spectroscopy it was shown that the Tb and Dy impurities are incorporated in the CaB4O7 and LiCaBO3 glass network as Tb3+ (4f8, 7F6) and Dy3+ (4f9, 6H15/2) ions, exclusively. All observed f – f transitions of Tb3+ and Dy3+centres in optical absorption, luminescence excitation and emission spectra have been identified. Luminescence kinetic shows single exponential decay for Tb3+ and Dy3+ centres in the CaB4O7 and LiCaBO3 glasses. Lifetimes for main emitting levels of Tb3+ and Dy3+ centres in all investigated glasses were determined at T = 300 K. Spectroscopy shows that obtained glasses are promising luminescent materials.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical spectroscopy of Nd-doped borate glasses
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Padlyak, B. V.; Ryba-Romanowski, W.; Lisiecki, R.; Adamiv, V. T.; Burak, Ya. V.; Teslyuk, I. M.
    Optical absorption, luminescence excitation and emission spectra as well as luminescence kinetics of the Nd3+ centres in glasses with Li2B4O7:Nd, LiCaBO3:Nd, and CaB4O7:Nd compositions containing 0.5 and 1.0 mol. % Nd2O3 have been investigated and analyzed. Using Judd-Ofelt theory oscillator strengths (f) and phenomenological intensity parameters W t ( W 2, W 4, and W 6) for all investigated glasses were determined. Radiative transitions rates (Wr), radiative lifetimes (τrad), and branching ratios (β) for Nd3+ centres have been calculated. Measured lifetimes for Nd3+ centres in the 4F3/2 emitting level are compared with those calculated and quantum efficiency (h) have been estimated.