Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Author: search.filters.author.Voznyak, T.Subject: search.filters.subject.luminescence

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    LPE growth and luminescent properties of ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) Single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Zorenko, Y.; Gorbenko, V.; Savchyn, V.; Voznyak, T.; Grinyov, B.; Sidletskiy, O.; Fedorov, A.; Gerasymov, I.; Jary, V.; Mares, J.; Beitlerova, A.; Nikl, M.
    The report is dedicated to development of scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO) orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.
  • Thumbnail Image
    Item
    LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Zorenko, Y.; Gorbenko, V.; Savchyn, V.; Voznyak, T.; Grinyov, B.; Sidletskiy, O.; Fedorov, A.; Gerasymov, I.; Jary, V.; Mares, J.; Beitlerova, A.; Nikl, M.
    The report is dedicated to development of scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO) orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bała, W.; Zorenko, Yu.; Savchyn, V; Voznyak, T.; Paprocki, K.; Popielarski, P.; Szybowicz, M.
    The ZnO thin films have been produced on p-type Si by the dip-coating method and after deposition were heated at different temperatures in the range from 650K to 850K. The photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements were carried out at temperature range 12K-350K. I-V, C-V, Q-DLTS measurements were performed on the Al/ZnO/Si/Al structures at different temperatures. The electrical response of grains, grain boundaries, and contacts of the ZnO film was obtained.