Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Filters

20121

Settings

Subject: search.filters.subject.Admittance spectroscopy

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Admittance and photoadmittance spectroscopy of zinc oxide layers grown on p-Si substrates by sol−gel and spin coating method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Popielarski, P.; Bała, W.; Paprocki, K.
    In this work, the dielectric response of ZnO thin films has been studied over a temperature range of 200 K - 550 K. The dielectric response of polycrystalline ZnO thin films in the frequency domain was measured from 0.1 Hz - to 5 MHz frequencies with a small AC signal amplitude at different temperatures. Influence of the light on conductivity has been also investigated. A universal power law relation was brought into picture to explain the frequency dependence of AC conductivity. The temperature dependence of AC conductivity was analyzed in detail. The activation energy obtained from the temperature dependence of AC conductivity was attributed to the shallow trapcontrolled space charge conduction in the bulk of the sample.